5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | QFP |
| 包装说明： | LFQFP, QFP120,.63SQ,16 | 针数： | 120 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.14 |
| Is Samacsys： | N | 最长访问时间： | 35 ns |
| 其他特性： | AUTOMATIC POWER-DOWN | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | S-PQFP-G120 | JESD-609代码： | e3 |
| 长度： | 14 mm | 内存密度： | 16384 bit |
| 内存集成电路类型： | FOUR-PORT SRAM | 内存宽度： | 8 |
| 湿度敏感等级： | 3 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 4 | 端子数量： | 120 |
| 字数： | 2048 words | 字数代码： | 2000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 2KX8 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 可输出： | YES |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | LFQFP |
| 封装等效代码： | QFP120,.63SQ,16 | 封装形状： | SQUARE |
| 封装形式： | FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 1.6 mm |
| 最大待机电流： | 0.015 A | 最小待机电流： | 4.5 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.3 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) - annealed | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 0.4 mm | 端子位置： | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 宽度： | 14 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IDT7052S35PFG8 | IDT |
获取价格 |
Four-Port SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, PQFP120, PLASTIC, TQFP-120 |
|
| IDT7052S35PFGM | IDT |
获取价格 |
Application Specific SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, PQFP120 |
|
| IDT7052S35PFM | IDT |
获取价格 |
Application Specific SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, PQFP120 |
|
| IDT7052S35PG | IDT |
获取价格 |
Multi-Port SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, PPGA108 |
|
| IDT7052S35PQF | ETC |
获取价格 |
Quad-Port SRAM |
|
| IDT7052S35PQF9 | IDT |
获取价格 |
Four-Port SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, PQFP132, 0.950 X 0.950 INCH, 0.140 INCH HEIGHT, PLASTIC, |
|
| IDT7052S35PQFGB | IDT |
获取价格 |
Four-Port SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, PQFP132, 0.950 X 0.950 INCH, 0.140 INCH HEIGHT, GREEN, P |
|
| IDT7052S35PQFGM | IDT |
获取价格 |
Application Specific SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, PQFP132 |
|
| IDT7052S35PQFM | IDT |
获取价格 |
Application Specific SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, PQFP132 |
|
| IDT7052S35QEBG | IDT |
获取价格 |
Multi-Port SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, CQCC132, CERQUAD-132 |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
