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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | QFP |
| 包装说明： | 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-120 | 针数： | 120 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.14 |
| 最长访问时间： | 35 ns | 其他特性： | AUTOMATIC POWER-DOWN |
| JESD-30 代码： | S-PQFP-G120 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 14 mm | 内存密度： | 16384 bit |
| 内存集成电路类型： | FOUR-PORT SRAM | 内存宽度： | 8 |
| 湿度敏感等级： | 4 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 4 | 端子数量： | 120 |
| 字数： | 2048 words | 字数代码： | 2000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 2KX8 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 可输出： | YES |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | LFQFP |
| 封装形状： | SQUARE | 封装形式： | FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 1.6 mm |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn85Pb15) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 0.4 mm | 端子位置： | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 20 | 宽度： | 14 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| IDT7052S35PFB | IDT | Four-Port SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, PQFP120, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-120 |
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| IDT7052S35PFG | IDT | Four-Port SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, PQFP120, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN, PLASTIC, TQF |
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| IDT7052S35PFG8 | IDT | Four-Port SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, PQFP120, PLASTIC, TQFP-120 |
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| IDT7052S35PFGM | IDT | Application Specific SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, PQFP120 |
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| IDT7052S35PFM | IDT | Application Specific SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, PQFP120 |
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| IDT7052S35PG | IDT | Multi-Port SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, PPGA108 |
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