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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | QFN |
| 包装说明： | QCCJ, | 针数： | 132 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.72 |
| 最长访问时间： | 25 ns | 其他特性： | AUTOMATIC POWER-DOWN |
| JESD-30 代码： | S-GQCC-J132 | JESD-609代码： | e0 |
| 内存密度： | 16384 bit | 内存集成电路类型： | MULTI-PORT SRAM |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 4 | 端子数量： | 132 |
| 字数： | 2048 words | 字数代码： | 2000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 2KX8 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 可输出： | YES |
| 封装主体材料： | CERAMIC, GLASS-SEALED | 封装代码： | QCCJ |
| 封装形状： | SQUARE | 封装形式： | CHIP CARRIER |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 225 |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | J BEND | 端子位置： | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| IDT7052S30G | IDT | Multi-Port SRAM, 2KX8, 30ns, CMOS, CPGA108, CAVITY-UP, CERAMIC, PGA-108 |
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| IDT7052S30GB | ETC | Quad-Port SRAM |
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| IDT7052S30PF | IDT | Multi-Port SRAM, 2KX8, 30ns, CMOS, PQFP132, PLASTIC, QFP-132 |
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| IDT7052S30PG | IDT | Multi-Port SRAM, 2KX8, 30ns, CMOS, PPGA108 |
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| IDT7052S30QE | IDT | Multi-Port SRAM, 2KX8, 30ns, CMOS, CQCC132, CERQUAD-132 |
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| IDT7052S35 | IDT | Four-Port SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, CPGA108, 1.210 X 1.210 INCH, 0.160 INCH HEIGHT, PGA-108 |
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