是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | QFP | 包装说明: | PLASTIC, QFP-132 |
针数: | 132 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.7 | 最长访问时间: | 30 ns |
其他特性: | AUTOMATIC POWER-DOWN | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | S-PQFP-G132 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 24.13 mm | 内存密度: | 16384 bit |
内存集成电路类型: | MULTI-PORT SRAM | 内存宽度: | 8 |
湿度敏感等级: | 4 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 4 | 端子数量: | 132 |
字数: | 2048 words | 字数代码: | 2000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 2KX8 | |
输出特性: | 3-STATE | 可输出: | YES |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | BQFP |
封装等效代码: | QFP120,.63SQ,16 | 封装形状: | SQUARE |
封装形式: | FLATPACK, BUMPER | 并行/串行: | PARALLEL |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 4.57 mm | 最大待机电流: | 0.015 A |
最小待机电流: | 4.5 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.34 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn85Pb15) |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 0.635 mm |
端子位置: | QUAD | 宽度: | 24.13 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IDT7052S30PG | IDT |
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Multi-Port SRAM, 2KX8, 30ns, CMOS, PPGA108 | |
IDT7052S30QE | IDT |
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Multi-Port SRAM, 2KX8, 30ns, CMOS, CQCC132, CERQUAD-132 | |
IDT7052S35 | IDT |
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Four-Port SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, CPGA108, 1.210 X 1.210 INCH, 0.160 INCH HEIGHT, PGA-108 | |
IDT7052S35G | IDT |
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Four-Port SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, CPGA108, 1.210 X 1.210 INCH, 0.160 INCH HEIGHT, PGA-108 | |
IDT7052S35GB | ETC |
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Quad-Port SRAM | |
IDT7052S35PF | ETC |
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Quad-Port SRAM | |
IDT7052S35PF8 | IDT |
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Four-Port SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, PQFP120, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-120 | |
IDT7052S35PF9 | IDT |
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Four-Port SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, PQFP120, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-120 | |
IDT7052S35PFB | IDT |
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Four-Port SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, PQFP120, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-120 | |
IDT7052S35PFG | IDT |
获取价格 |
Four-Port SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, PQFP120, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN, PLASTIC, TQF |