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IBM11M4735C-70J

更新时间： 2024-01-25 15:49:42

品牌	Logo	应用领域
国际商业机器公司 - IBM		动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
29页	323K
描述
EDO DRAM Module, 4MX72, 70ns, CMOS, DIMM-168

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IBM11M4735C-70J 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIMM
包装说明：	DIMM, DIMM168	针数：	168
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.28	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	访问模式：	FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间：	70 ns	其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
备用内存宽度：	36	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-XDMA-N168	内存密度：	301989888 bit
内存集成电路类型：	EDO DRAM MODULE	内存宽度：	72
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	168	字数：	4194304 words
字数代码：	4000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	4MX72	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装代码：	DIMM
封装等效代码：	DIMM168	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	4096
自我刷新：	NO	最大待机电流：	0.018 A
子类别：	Other Memory ICs	最大压摆率：	1.17 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	NO LEAD	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

IBM11M4735C-70J 数据手册

IBM11M4735C

IBM11M4735CB

4M x 72 DRAM MODULE

DC Electrical Characteristics (T = 0 to +70˚C, V = 3.3V ± 0.3V or V = 5.0V ± 0.5V)

Symbol

Parameter

Units

Notes

1, 2, 3

Min. Max.

Operating Current

-60

—

1350

1170

I_CC1

Average Power Supply Operating Current

(RAS, CAS, Address Cycling: t_RC= t_RCmin.)

-70

Standby Current (TTL)

Power Supply Standby Current

(RAS = CAS = V_IH)

I_CC2

I_CC3

I_CC4

I_CC5

I_CC6

—

RAS Only Refresh Current

Average Power Supply Current, RAS Only Mode

(RAS Cycling, CAS = V_IH: t_RC= t_RCmin)

-60

-70

-60

-70

—

1350

1170

990

1, 3

EDO Page Mode Current

Average Power Supply Current, EDO Page Mode

(RAS = V_IL, CAS, Address Cycling: t_HPC= t_HPCmin)

1, 2, 3

Standby Current (CMOS)

Power Supply Standby Current

(RAS = CAS = V_CC- 0.2V)

—

CAS Before RAS Refresh Current

Average Power Supply Current, CAS Before RAS Mode

(RAS, CAS, Cycling: t_RC= t_RCmin)

-60

-70

—

1350

1170

+10

1, 3

Input Leakage Current

Input Leakage Current, any input

(0.0 ≤ V_IN≤ (V_CC+ 0.3V)), All Other Pins Not Under Test = 0V

All but RAS

RAS

-10

-90

I_I(L)

I_O(L)

V_OH

µA

+90

Output Leakage Current

(D_OUTis disabled, 0.0 ≤ V_OUT≤ V_CC

-10

2.4

+10

V_CC

)

Output Level (TTL)

Output “H” Level Voltage

(I_OUT= -2.5mA for 3.3V, or I_OUT= -5mA for 5.0V)

Output Level (TTL)

V_OL

Output “L” Level Voltage

0.0

0.4

(I_OUT= +2.1mA for 3.3V, or I_OUT= +4.2mA for 5.0V)

1. I_CC1, I_CC3, I_CC4and I_CC6depend on cycle rate.

2. I_CC1and I_CC4depend on output loading. Speciﬁed values are obtained with the output open.

3. Address can be changed once or less while RAS =V_IL. In the case of I_CC4, it can be changed once or less when CAS =V_IH.

Use is further subject to the provisions at the end of this document.

50H4201

SA14-4616-02

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