生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | DIMM |
包装说明: | DIMM, DIMM168 | 针数: | 168 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.32 | 风险等级: | 5.84 |
Is Samacsys: | N | 访问模式: | FAST PAGE WITH EDO |
最长访问时间: | 70 ns | 其他特性: | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH |
备用内存宽度: | 36 | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-XDMA-N168 | 内存密度: | 603979776 bit |
内存集成电路类型: | EDO DRAM MODULE | 内存宽度: | 72 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 1 |
端子数量: | 168 | 字数: | 8388608 words |
字数代码: | 8000000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 8MX72 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | UNSPECIFIED | 封装代码: | DIMM |
封装等效代码: | DIMM168 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | 电源: | 3.3 V |
认证状态: | Not Qualified | 刷新周期: | 4096 |
座面最大高度: | 38.1 mm | 最大待机电流: | 0.036 A |
子类别: | Other Memory ICs | 最大压摆率: | 1.206 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup): | 3 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子形式: | NO LEAD | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | DUAL | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IBM11M8735HB-60 | ETC |
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x72 EDO Page Mode DRAM Module | |
IBM11M8735HB-60T | IBM |
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EDO DRAM Module, 8MX72, 60ns, CMOS, DIMM-168 | |
IBM11M8845HB-5RT | ETC |
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x72 EDO Page Mode DRAM Module | |
IBM11M8845HB-6RT | ETC |
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x72 EDO Page Mode DRAM Module | |
IBM11N1645BB-60J | ETC |
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x64 EDO Page Mode DRAM Module | |
IBM11N1645BB-70J | ETC |
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x64 EDO Page Mode DRAM Module | |
IBM11N1645LB-60 | IBM |
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EDO DRAM Module, 1MX64, 60ns, CMOS, PDMA168 | |
IBM11N1645LB-6R | ETC |
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x64 EDO Page Mode DRAM Module | |
IBM11N1645LB-70 | IBM |
获取价格 |
EDO DRAM Module, 1MX64, 70ns, CMOS, PDMA168 | |
IBM11N1645LB-70J | IBM |
获取价格 |
EDO DRAM Module, 1MX64, 70ns, CMOS, PDMA168 |