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IBM11M8735HB-60T

更新时间： 2024-09-17 14:51:19

品牌	Logo	应用领域
国际商业机器公司 - IBM		动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
29页	2259K
描述
EDO DRAM Module, 8MX72, 60ns, CMOS, DIMM-168

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IBM11M8735HB-60T 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIMM
包装说明：	DIMM, DIMM168	针数：	168
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.32	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	访问模式：	FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间：	60 ns	其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
备用内存宽度：	32	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-XDMA-N168	内存密度：	603979776 bit
内存集成电路类型：	EDO DRAM MODULE	内存宽度：	72
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	168	字数：	8388608 words
字数代码：	8000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	8MX72	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装代码：	DIMM
封装等效代码：	DIMM168	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	4096
最大待机电流：	0.009 A	子类别：	Other Memory ICs
最大压摆率：	1.17 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	NO LEAD
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IBM11M8845HB-5RT	ETC	获取价格	x72 EDO Page Mode DRAM Module
IBM11M8845HB-6RT	ETC	获取价格	x72 EDO Page Mode DRAM Module
IBM11N1645BB-60J	ETC	获取价格	x64 EDO Page Mode DRAM Module
IBM11N1645BB-70J	ETC	获取价格	x64 EDO Page Mode DRAM Module
IBM11N1645LB-60	IBM	获取价格	EDO DRAM Module, 1MX64, 60ns, CMOS, PDMA168
IBM11N1645LB-6R	ETC	获取价格	x64 EDO Page Mode DRAM Module
IBM11N1645LB-70	IBM	获取价格	EDO DRAM Module, 1MX64, 70ns, CMOS, PDMA168
IBM11N1645LB-70J	IBM	获取价格	EDO DRAM Module, 1MX64, 70ns, CMOS, PDMA168
IBM11N16645BB-60	ETC	获取价格	x64 EDO Page Mode DRAM Module
IBM11N16645CB-60	ETC	获取价格	x64 EDO Page Mode DRAM Module