生命周期: | Obsolete | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.84 | 最长访问时间: | 60 ns |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-PDMA-N168 |
内存密度: | 67108864 bit | 内存集成电路类型: | EDO DRAM MODULE |
内存宽度: | 64 | 端子数量: | 168 |
字数: | 1048576 words | 字数代码: | 1000000 |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 1MX64 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | DIMM |
封装等效代码: | DIMM168 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | 电源: | 3.3 V |
认证状态: | Not Qualified | 刷新周期: | 1024 |
座面最大高度: | 25.4 mm | 自我刷新: | NO |
最大待机电流: | 0.004 A | 子类别: | DRAMs |
最大压摆率: | 0.66 mA | 标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子形式: | NO LEAD |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | DUAL |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IBM11N1645LB-6R | ETC |
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x64 EDO Page Mode DRAM Module | |
IBM11N1645LB-70 | IBM |
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EDO DRAM Module, 1MX64, 70ns, CMOS, PDMA168 | |
IBM11N1645LB-70J | IBM |
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EDO DRAM Module, 1MX64, 70ns, CMOS, PDMA168 | |
IBM11N16645BB-60 | ETC |
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x64 EDO Page Mode DRAM Module | |
IBM11N16645CB-60 | ETC |
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x64 EDO Page Mode DRAM Module | |
IBM11N16735BB-60 | ETC |
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x72 EDO Page Mode DRAM Module | |
IBM11N16735CB-50 | ETC |
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x72 EDO Page Mode DRAM Module | |
IBM11N16735CB-60 | ETC |
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x72 EDO Page Mode DRAM Module | |
IBM11N16845CB-6RJ | IBM |
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EDO DRAM Module, 16MX72, 60ns, CMOS, DIMM-168 | |
IBM11N1735BB-60J | ETC |
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x72 EDO Page Mode DRAM Module |