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IBM11M8730C-70J

更新时间： 2024-10-28 14:51:19

品牌	Logo	应用领域
国际商业机器公司 - IBM		动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
26页	300K
描述
Fast Page DRAM Module, 8MX72, 70ns, CMOS, DIMM-168

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IBM11M8730C-70J 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIMM
包装说明：	DIMM, DIMM168	针数：	168
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.32	风险等级：	5.84
访问模式：	FAST PAGE	最长访问时间：	70 ns
其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	备用内存宽度：	36
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-XDMA-N168
内存密度：	603979776 bit	内存集成电路类型：	FAST PAGE DRAM MODULE
内存宽度：	72	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	168
字数：	8388608 words	字数代码：	8000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	8MX72
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装代码：	DIMM	封装等效代码：	DIMM168
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	4096	座面最大高度：	38.1 mm
最大待机电流：	0.036 A	子类别：	Other Memory ICs
最大压摆率：	1.206 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	NO LEAD
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

IBM11M8730C-70J 数据手册

IBM11M1730BB1M

x 72 E10/10, 3.3V, Au.

IBM11M8730C

IBM11M8730CB

8M x 72 DRAM MODULE

Features

• System Performance Beneﬁts:

-Buffered inputs (except RAS, Data)

• 168 Pin JEDEC Standard, 8 Byte Dual In-line

Memory Module

• 8Mx72 Dual Bank Fast Page Mode DIMM

• Performance:

-Reduced noise (32 V /V pins)

SS CC

-4 Byte Interleave enabled

-Buffered PDs

-60

-70

t_RAC

t_CAC

t_AA

RAS Access Time

60ns

20ns

35ns

70ns

25ns

40ns

• Fast Page Mode, Read-Modify-Write Cycles

CAS Access Time

• Refresh Modes: RAS-Only, CBR and Hidden

Refresh

Access Time From Address

t_RC

t_PC

Cycle Time

110ns 130ns

40ns 45ns

• 4096 refresh cycles distributed across 64ms

• 12/10 addressing (Row/Column)

Fast Page Mode Cycle Time

• All inputs and outputs are LVTTL (3.3V) or TTL

(5.0V) compatible

• Card size: 5.25" x 1.5" x 0.354"

• DRAMS in SOJ Package

• Single 3.3V ± 0.3V or 5.0V ± 0.5V Power Supply

• Au contacts

• Optimized for ECC applications

Description

IBM11M8730C is an industry standard 168-pin

8-byte Dual In-line Memory Module (DIMM) which is

organized as an 8Mx72 high speed memory array,

designed for ECC applications, and is configured as

2 4Mx72 banks. The DIMM uses 36 4Mx4 DRAMs in

SOJ packages.

bits provide information about the DIMM density,

addressing, performance and features. PD bits can

be dotted at the system level and activated for each

DIMM position using the PD enable (PDE) signal. ID

bits also allow detection of card features, and may

be dot-or’d at the system level to provide information

for the entire DIMM bank. For example, the system

will determine that ECC DIMMs are installed if PD8

is low (0). ID0 need not be sensed since both x72

and x80 ECC DIMMs will function in a x72 bank.

Improved system performance is provided by the

on-DIMM buffering of selected input signals. The

specified timings include all buffer, net and skew

delays, which simplifies the memory subsystem

design analysis. The data and RAS signals are not

buffered, which preserves the DRAM access specifi-

cations of 60ns and 70ns.

All IBM 168-pin DIMMs provide a high performance,

flexible 8-byte interface in a 5.25” long space-saving

footprint. Related products are the x64 and x72 par-

ity (5V) DIMMs and ECC DIMMs (5V and 3.3V).

Presence Detect (PD) and Identification Detect (ID)

Card Outline (3.3V)

Detail A

(Front)

(Back)

10 11

94 95

168

40 41

124 125

See Detail A

for 5.0V Version

Use is further subject to the provisions at the end of this document.

50H8039

SA14-4629-02

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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IBM11M8735C-60	IBM	获取价格	Memory IC, 8MX72, CMOS, PDMA168
IBM11M8735C-60J	IBM	获取价格	EDO DRAM Module, 8MX72, 60ns, CMOS, DIMM-168
IBM11M8735C-70	IBM	获取价格	Memory IC, 8MX72, CMOS, PDMA168
IBM11M8735C-70J	IBM	获取价格	EDO DRAM Module, 8MX72, 70ns, CMOS, DIMM-168
IBM11M8735CB-60	IBM	获取价格	Memory IC, 8MX72, CMOS, PDMA168
IBM11M8735CB-60J	IBM	获取价格	EDO DRAM Module, 8MX72, 60ns, CMOS, DIMM-168
IBM11M8735CB-70	ETC	获取价格	x72 EDO Page Mode DRAM Module
IBM11M8735CB-70J	IBM	获取价格	EDO DRAM Module, 8MX72, 70ns, CMOS, DIMM-168
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