生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | DIMM |
包装说明: | DIMM, DIMM168 | 针数: | 168 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.32 | 风险等级: | 5.84 |
访问模式: | FAST PAGE WITH EDO | 最长访问时间: | 60 ns |
其他特性: | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH | 备用内存宽度: | 36 |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-XDMA-N168 |
内存密度: | 603979776 bit | 内存集成电路类型: | EDO DRAM MODULE |
内存宽度: | 72 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 168 |
字数: | 8388608 words | 字数代码: | 8000000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 8MX72 | |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | UNSPECIFIED |
封装代码: | DIMM | 封装等效代码: | DIMM168 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
电源: | 3.3 V | 认证状态: | Not Qualified |
刷新周期: | 4096 | 座面最大高度: | 38.1 mm |
最大待机电流: | 0.036 A | 子类别: | Other Memory ICs |
最大压摆率: | 1.386 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup): | 3 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子形式: | NO LEAD |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | DUAL |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IBM11M8735CB-70 | ETC |
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x72 EDO Page Mode DRAM Module | |
IBM11M8735CB-70J | IBM |
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EDO DRAM Module, 8MX72, 70ns, CMOS, DIMM-168 | |
IBM11M8735HB-60 | ETC |
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x72 EDO Page Mode DRAM Module | |
IBM11M8735HB-60T | IBM |
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EDO DRAM Module, 8MX72, 60ns, CMOS, DIMM-168 | |
IBM11M8845HB-5RT | ETC |
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x72 EDO Page Mode DRAM Module | |
IBM11M8845HB-6RT | ETC |
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x72 EDO Page Mode DRAM Module | |
IBM11N1645BB-60J | ETC |
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x64 EDO Page Mode DRAM Module | |
IBM11N1645BB-70J | ETC |
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x64 EDO Page Mode DRAM Module | |
IBM11N1645LB-60 | IBM |
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EDO DRAM Module, 1MX64, 60ns, CMOS, PDMA168 | |
IBM11N1645LB-6R | ETC |
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x64 EDO Page Mode DRAM Module |