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IBM11M4735C-70J PDF预览

IBM11M4735C-70J

更新时间： 2024-02-04 20:40:26
品牌 Logo 应用领域
国际商业机器公司 - IBM 动态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
29页 323K
描述
EDO DRAM Module, 4MX72, 70ns, CMOS, DIMM-168

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IBM11M4735C-70J 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：DIMM
包装说明：DIMM, DIMM168针数：168
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.28风险等级：5.84
Is Samacsys：N访问模式：FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间：70 ns其他特性：RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
备用内存宽度：36I/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-XDMA-N168内存密度：301989888 bit
内存集成电路类型：EDO DRAM MODULE内存宽度：72
功能数量：1端口数量：1
端子数量：168字数：4194304 words
字数代码：4000000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：4MX72输出特性：3-STATE
封装主体材料：UNSPECIFIED封装代码：DIMM
封装等效代码：DIMM168封装形状：RECTANGULAR
封装形式：MICROELECTRONIC ASSEMBLY电源：5 V
认证状态：Not Qualified刷新周期：4096
自我刷新：NO最大待机电流：0.018 A
子类别：Other Memory ICs最大压摆率：1.17 mA
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：NO
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子形式：NO LEAD端子节距：1.27 mm
端子位置：DUALBase Number Matches：1

IBM11M4735C-70J 数据手册

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IBM11M4735C  
IBM11M4735CB  
4M x 72 DRAM MODULE  
Truth Table  
Row  
Column  
Function  
RAS  
CAS  
WE  
OE  
PDE  
DQx  
Address Address  
Standby  
Read  
H
L
L
L
H→X  
X
H
X
L
X
X
X
X
X
X
High Impedance  
Valid Data Out  
Valid Data In  
L
L
L
Row  
Row  
Row  
Col  
Col  
Col  
Early-Write  
Late-Write  
L
X
H
H→L  
Valid Data In  
Valid Data Out,  
Valid Data In  
H→L  
L→H  
RMW  
L
L
Row  
Col  
X
EDO Page Mode - Read  
1st Cycle  
H→L  
H→L  
H→L  
H→L  
H→L  
L
L
L
L
L
H
H
L
L
Row  
N/A  
Col  
Col  
Col  
Col  
Col  
X
X
X
X
X
Valid Data Out  
Valid Data Out  
Valid Data In  
Valid Data In  
Subsequent Cycles  
EDO Page Mode - Write  
1st Cycle  
L
X
Row  
N/A  
Subsequent Cycles  
L
X
EDO Page Mode - RMW  
1st Cycle  
Valid Data Out,  
Valid Data In  
H→L  
L→H  
Row  
Valid Data Out,  
Valid Data In  
H→L  
H→L  
L→H  
Subsequent Cycles  
L
N/A  
Col  
X
L
H
L
L
L
X
H
H
H
X
X
L
Row  
X
N/A  
X
X
X
X
X
High Impedance  
High Impedance  
Data Out  
RAS-Only Refresh  
H→L  
CAS-Before-RAS Refresh  
L→H→L  
L→H→L  
Read  
Write  
Row  
Row  
Col  
Col  
Hidden Refresh  
X
Data In  
Not Affected  
(PD Bits Valid)  
Read Presence Detects  
X
X
X
X
X
X
L
Presence Detect  
Pin  
-60  
1
-70  
1
PD1 (PD1 - PD4: Addressing/Density)  
PD2  
1
1
PD3  
0
0
PD4  
1
1
PD5 (EDO Detection)  
PD6 (PD6 - PD7: Speed)  
PD7  
1
1
1
0
1
1
PD8 (Parity/ECC Designator)  
ID0 (DIMM Type/Width)  
ID1 (Refresh Mode)  
0
0
0
0
0
0
1. PD1-8 are buffered outputs (0 = driven to VOL, 1 = open)  
2. ID0-1 are unbuffered outputs (0 = VSS, 1 = open)  
3. PDE should be tied high or low at system level if not used  
©IBM Corporation. All rights reserved.  
Use is further subject to the provisions at the end of this document.  
50H4201  
SA14-4616-02  
Revised 5/96  
Page 4 of 29  
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与IBM11M4735C-70J相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IBM11M4735CB-60 IBM

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 		DRAM, 4MX72, 60ns, CMOS, PDMA168
IBM11M4735CB-60T IBM

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 		EDO DRAM Module, 4MX72, 60ns, CMOS, DIMM-168
IBM11M4735CB-70 ETC

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 		x72 EDO Page Mode DRAM Module
IBM11M4735CB-70J IBM

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 		DRAM, 4MX72, 70ns, CMOS, PDMA168
IBM11M8645HB-60 ETC

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 		x64 EDO Page Mode DRAM Module
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 		x64 EDO Page Mode DRAM Module
IBM11M8730C-70J IBM

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 		Fast Page DRAM Module, 8MX72, 70ns, CMOS, DIMM-168
IBM11M8730HB-60 ETC

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 		x72 Fast Page Mode DRAM Module
IBM11M8735C-60 IBM

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 		Memory IC, 8MX72, CMOS, PDMA168
IBM11M8735C-60J IBM

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 		EDO DRAM Module, 8MX72, 60ns, CMOS, DIMM-168

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