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IAUS165N08S5N029

更新时间： 2023-12-06 20:10:53

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车规级MOSFET

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IAUS165N08S5N029 数据手册

IAUS165N08S5N029

1 Power dissipation

2 Drain current

P _tot= f(T _C); V _GS≥ 6 V

I _D= f(T _C); V _GS≥ 6 V

200

150

100

200

150

100

150

200

100

150

200

T_C[°C]

3 Safe operating area

4 Max. transient thermal impedance

Z _thJC= f(t _p)

I _D= f(V _DS); T _C= 25 °C; D = 0

parameter: t _p

parameter: D =t _p/T

10⁰

1000

100

1 µs

0.5

10 µs

100 µs

1 ms

0.1

10^-1

0.05

0.01

10^-2

single pulse

10^-3

0.1

100

10^-6

10^-5

10^-4

10^-3

10^-2

10^-1

10⁰

V_DS[V]

t_p[s]

Rev. 1.0

page 4

4/10/2018

1 2 345 6 7...9

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