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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Transferred |
| 零件包装代码： | BGA | 包装说明： | FBGA, BGA54,9X9,32 |
| 针数： | 54 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.24 |
| 风险等级： | 5.65 | 访问模式： | FOUR BANK PAGE BURST |
| 最长访问时间： | 5.4 ns | 其他特性： | AUTO/SELF REFRESH |
| 最大时钟频率 (fCLK)： | 133 MHz | I/O 类型： | COMMON |
| 交错的突发长度： | 1,2,4,8 | JESD-30 代码： | R-PBGA-B54 |
| JESD-609代码： | e1 | 长度： | 12 mm |
| 内存密度： | 268435456 bit | 内存集成电路类型： | SYNCHRONOUS DRAM |
| 内存宽度： | 16 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 54 |
| 字数： | 16777216 words | 字数代码： | 16000000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -25 °C | 组织： | 16MX16 |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | FBGA | 封装等效代码： | BGA54,9X9,32 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | GRID ARRAY, FINE PITCH |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 电源： | 1.8 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 刷新周期： | 8192 |
| 自我刷新： | YES | 连续突发长度： | 1,2,4,8,FP |
| 最大待机电流： | 0.00035 A | 子类别： | DRAMs |
| 最大压摆率： | 0.09 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 1.95 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 1.65 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 1.8 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | OTHER | 端子面层： | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
| 端子形式： | BALL | 端子节距： | 0.8 mm |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 宽度： | 8 mm |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| HYB18L256160BF-7.5 | QIMONDA |
功能相似  |
DRAMs for Mobile Applications 256-Mbit Mobile-RAM |
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| HYB18L256160BF-7.5 | INFINEON |
功能相似 |
BJAWBMSpecialty DRAMs Mobile-RAM |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HYE18L256160BF-75 | INFINEON |
获取价格 |
DRAMs for Mobile Applications |
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| HYE18L256160BFL-7.5 | INFINEON |
获取价格 |
Synchronous DRAM, 16MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54, 12 X 8 MM, 1 MM HEIGHT, GREEN, PLASTIC, VFB |
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| HYE18L256160BFL-7.5 | QIMONDA |
获取价格 |
Synchronous DRAM, 16MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54, 12 X 8 MM, 1 MM HEIGHT, GREEN, PLASTIC, VFB |
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| HYE18L256160BFX-7.5 | QIMONDA |
获取价格 |
DRAMs for Mobile Applications 256-Mbit Mobile-RAM |
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| HYE18L256169BF-7.5 | QIMONDA |
获取价格 |
256-Mbit Mobile-RAM |
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| HYE18L256169BFX-7.5 | QIMONDA |
获取价格 |
DRAMs for Mobile Applications 256-Mbit Mobile-RAM |
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| HYE18L256320CF-6 | QIMONDA |
获取价格 |
Synchronous DRAM, 8MX32, 5.5ns, CMOS, PBGA90, 10 X 12.50 MM, 1 MM HEIGHT, GREEN, PLASTIC, |
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| HYE18L256320CF-7.5 | QIMONDA |
获取价格 |
Synchronous DRAM, 8MX32, 6ns, CMOS, PBGA90, 10 X 12.50 MM, 1 MM HEIGHT, GREEN, PLASTIC, VF |
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| HYE18L512160BF-7.5 | QIMONDA |
获取价格 |
DRAMs for Mobile Applications 512-Mbit Mobile-RAM |
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| HYE18L512320BF-7.5 | QIMONDA |
获取价格 |
DRAMs for Mobile Applications 512-Mbit SDR Mobile-RAM |
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