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HYB18L256160BF-7.5

更新时间: 2024-02-14 23:29:06
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英飞凌 - INFINEON 存储内存集成电路动态存储器时钟
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6页 572K
描述
BJAWBMSpecialty DRAMs Mobile-RAM

HYB18L256160BF-7.5 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Transferred
零件包装代码:BGA包装说明:FBGA, BGA54,9X9,32
针数:54Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.24
风险等级:5.44访问模式:FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间:5.4 ns其他特性:AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK):133 MHzI/O 类型:COMMON
交错的突发长度:1,2,4,8JESD-30 代码:R-PBGA-B54
JESD-609代码:e1长度:12 mm
内存密度:268435456 bit内存集成电路类型:SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度:16功能数量:1
端口数量:1端子数量:54
字数:16777216 words字数代码:16000000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:16MX16
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:FBGA封装等效代码:BGA54,9X9,32
封装形状:RECTANGULAR封装形式:GRID ARRAY, FINE PITCH
峰值回流温度(摄氏度):260电源:1.8 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:8192
自我刷新:YES连续突发长度:1,2,4,8,FP
最大待机电流:0.00035 A子类别:DRAMs
最大压摆率:0.09 mA最大供电电压 (Vsup):1.95 V
最小供电电压 (Vsup):1.65 V标称供电电压 (Vsup):1.8 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式:BALL端子节距:0.8 mm
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:40
宽度:8 mmBase Number Matches:1

HYB18L256160BF-7.5 数据手册

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Infineon Specialty DRAMs  
M o b i l e - R A M  
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