Datasheet > 存储 > SRAM> HYE18P16161AC-70

HYE18P16161AC-70

更新时间： 2024-02-09 16:08:33

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		存储内存集成电路静态存储器
页数	文件大小	规格书
33页	622K
描述
16M Asynchronous/Page CellularRAM

阅读下载

中文翻译

获取价格

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

HYE18P16161AC-70 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	PLASTIC, VFBGA-48
针数：	48	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	3A991.B.2.A	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.58	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	70 ns	其他特性：	SYNCHRONOUS OPERATION ALSO POSSIBLE
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PBGA-B48
JESD-609代码：	e0	长度：	8 mm
内存密度：	16777216 bit	内存集成电路类型：	PSEUDO STATIC RAM
内存宽度：	16	功能数量：	1
端子数量：	48	字数：	1048576 words
字数代码：	1000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-25 °C
组织：	1MX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	VFBGA
封装等效代码：	BGA48,6X8,30	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	1.8,1.8/3 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1 mm
最大待机电流：	0.000025 A	最小待机电流：	1.7 V
子类别：	Other Memory ICs	最大压摆率：	0.02 mA
最大供电电压 (Vsup)：	1.95 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	OTHER
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	BALL
端子节距：	0.75 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	6 mm
Base Number Matches：	1

Data Sheet, V2.0, December 2003

HYE18P16161AC-70/L70

HYE18P16161AC-85/L85

16M Asynchronous/Page CellularRAM

CellularRAM

Memory Products

N e v e r

s t o p

t h i n k i n g .

12 3 4 5 6 7...33

中文翻译

下载PDF

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HYE18P16161AC-85	INFINEON	获取价格	16M Asynchronous/Page CellularRAM
HYE18P16161ACL70	INFINEON	获取价格	16M Asynchronous/Page CellularRAM
HYE18P16161AC-L70	INFINEON	获取价格	Pseudo Static RAM, 1MX16, 70ns, CMOS, PBGA48, PLASTIC, VFBGA-48
HYE18P16161ACL85	INFINEON	获取价格	16M Asynchronous/Page CellularRAM
HYE18P16161AC-L85	INFINEON	获取价格	Pseudo Static RAM, 1MX16, 85ns, CMOS, PBGA48, PLASTIC, VFBGA-48
HYE18P32160AC	INFINEON	获取价格	32M Synchronous Burst CellularRAM
HYE18P32160AC-125	INFINEON	获取价格	32M Synchronous Burst CellularRAM
HYE18P32160AC-15	INFINEON	获取价格	32M Synchronous Burst CellularRAM
HYE18P32160AC-96	INFINEON	获取价格	32M Synchronous Burst CellularRAM
HYE18P32160AC-L12.5	INFINEON	获取价格	Pseudo Static RAM, 2MX16, 70ns, CMOS, PBGA54, 6 X 8 MM, PLASTIC, VFBGA-54