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HYE18P16161AC-L70

更新时间: 2024-09-27 20:39:51
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英飞凌 - INFINEON 内存集成电路
页数 文件大小 规格书
32页 509K
描述
Pseudo Static RAM, 1MX16, 70ns, CMOS, PBGA48, PLASTIC, VFBGA-48

HYE18P16161AC-L70 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:BGA包装说明:VFBGA, BGA48,6X8,30
针数:48Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:3A991.B.2.AHTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.6最长访问时间:70 ns
其他特性:SYNCHRONOUS OPERATION ALSO POSSIBLEI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PBGA-B48JESD-609代码:e0
长度:8 mm内存密度:16777216 bit
内存集成电路类型:PSEUDO STATIC RAM内存宽度:16
功能数量:1端子数量:48
字数:1048576 words字数代码:1000000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-25 °C组织:1MX16
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:VFBGA封装等效代码:BGA48,6X8,30
封装形状:RECTANGULAR封装形式:GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行:PARALLEL电源:1.8,1.8/3 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:1 mm
最大待机电流:0.000025 A最小待机电流:1.7 V
子类别:Other Memory ICs最大压摆率:0.02 mA
最大供电电压 (Vsup):1.95 V最小供电电压 (Vsup):1.7 V
标称供电电压 (Vsup):1.8 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:OTHER
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:BALL
端子节距:0.75 mm端子位置:BOTTOM
宽度:6 mmBase Number Matches:1

HYE18P16161AC-L70 数据手册

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Data Sheet, V2.2, July 2004  
HYE18P16161AC-70/L70  
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