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HYE18P32160AC-L15

更新时间： 2024-09-27 20:42:55

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英飞凌 - INFINEON		/
页数	文件大小	规格书
53页	1110K
描述
Pseudo Static RAM, 2MX16, 85ns, CMOS, PBGA54, 6 X 8 MM, PLASTIC, VFBGA-54

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HYE18P32160AC-L15 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	6 X 8 MM, PLASTIC, VFBGA-54
针数：	54	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	3A991.B.2.A	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.92	最长访问时间：	85 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PBGA-B54
JESD-609代码：	e0	长度：	8 mm
内存密度：	33554432 bit	内存集成电路类型：	PSEUDO STATIC RAM
内存宽度：	16	功能数量：	1
端子数量：	54	字数：	2097152 words
字数代码：	2000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-25 °C
组织：	2MX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	VFBGA
封装等效代码：	BGA54,6X9,30	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	1.8 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1 mm
最大待机电流：	0.00012 A	子类别：	Other Memory ICs
最大压摆率：	0.03 mA	最大供电电压 (Vsup)：	1.95 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	OTHER	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	BALL	端子节距：	0.75 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	6 mm	Base Number Matches：	1

Data Sheet, V2.0, December 2003

HYE18P32160AC(-/L)9.6

HYE18P32160AC(-/L)12.5

HYE18P32160AC(-/L)15

32M Synchronous Burst CellularRAM

CellularRAM

Memory Products

N e v e r

s t o p

t h i n k i n g .

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HYE18P32160ACL96	INFINEON	获取价格	32M Synchronous Burst CellularRAM
HYE18P32161AC	INFINEON	获取价格	32M Asynchronous/Page CellularRAM
HYE18P32161AC-70	INFINEON	获取价格	32M Asynchronous/Page CellularRAM
HYE18P32161AC-85	INFINEON	获取价格	32M Asynchronous/Page CellularRAM
HYE18P32161ACL70	INFINEON	获取价格	32M Asynchronous/Page CellularRAM
HYE18P32161AC-L70	INFINEON	获取价格	Pseudo Static RAM, 2MX16, 70ns, CMOS, PBGA48, PLASTIC, VFBGA-48
HYE18P32161ACL85	INFINEON	获取价格	32M Asynchronous/Page CellularRAM
HYE18P32161ACL85	QIMONDA	获取价格	Memory IC, 2MX16, CMOS, PBGA48
HYE18P32161AC-L85	INFINEON	获取价格	暂无描述
HYE18P64160AF-12.5	QIMONDA	获取价格	Pseudo Static RAM, 4MX16, CMOS, PBGA54, GREEN, PLASTIC, VFBGA-54