5秒后页面跳转
HYE18M1G160BF-6 PDF预览

HYE18M1G160BF-6

更新时间: 2024-01-22 07:38:53
品牌 Logo 应用领域
奇梦达 - QIMONDA 双倍数据速率
页数 文件大小 规格书
65页 3507K
描述
1-Gbit x16 DDR Mobile-RAM

HYE18M1G160BF-6 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:DSBGA包装说明:TFBGA, BGA60,9X10,32
针数:60Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.32
风险等级:5.84访问模式:FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间:5.5 ns其他特性:AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK):166 MHzI/O 类型:COMMON
交错的突发长度:2,4,8,16JESD-30 代码:R-PBGA-B60
长度:11 mm内存密度:1073741824 bit
内存集成电路类型:DDR DRAM内存宽度:16
湿度敏感等级:3功能数量:1
端口数量:1端子数量:60
字数:67108864 words字数代码:64000000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-25 °C组织:64MX16
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TFBGA封装等效代码:BGA60,9X10,32
封装形状:RECTANGULAR封装形式:GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度(摄氏度):260电源:1.8 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:8192
座面最大高度:1.07 mm自我刷新:YES
连续突发长度:2,4,8,16最大待机电流:0.0012 A
子类别:DRAMs最大压摆率:0.37 mA
最大供电电压 (Vsup):1.9 V最小供电电压 (Vsup):1.7 V
标称供电电压 (Vsup):1.8 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:OTHER
端子形式:BALL端子节距:0.8 mm
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:40
宽度:10.5 mmBase Number Matches:1

HYE18M1G160BF-6 数据手册

 浏览型号HYE18M1G160BF-6的Datasheet PDF文件第2页浏览型号HYE18M1G160BF-6的Datasheet PDF文件第3页浏览型号HYE18M1G160BF-6的Datasheet PDF文件第4页浏览型号HYE18M1G160BF-6的Datasheet PDF文件第5页浏览型号HYE18M1G160BF-6的Datasheet PDF文件第6页浏览型号HYE18M1G160BF-6的Datasheet PDF文件第7页 
March 2007  
HYB18M1G16[0/1]BF–6  
HYE18M1G16[0/1]BF–6  
HYB18M1G16[0/1]BF–7.5  
HYE18M1G16[0/1]BF–7.5  
DRAMs for Mobile Applications  
1-Gbit x16 DDR Mobile-RAM  
RoHS compliant  
Data Sheet  
Rev.1.0  

与HYE18M1G160BF-6相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
HYE18M1G160BF-7.5 QIMONDA

获取价格

1-Gbit x16 DDR Mobile-RAM
HYE18M1G161BF-6 QIMONDA

获取价格

1-Gbit x16 DDR Mobile-RAM
HYE18M1G161BF-7.5 QIMONDA

获取价格

1-Gbit x16 DDR Mobile-RAM
HYE18M1G320BF-7.5 QIMONDA

获取价格

DRAMs for Mobile Applications 1-Gbit x32 DDR Mobile-RAM
HYE18M1G320DF-6 QIMONDA

获取价格

DDR DRAM, 8MX16, 5ns, CMOS, PBGA90, 9 X 12.50 MM, 1 MM HEIGHT, GREEN, PLASTIC, VFBGA-90
HYE18M1G320DF-7.5 QIMONDA

获取价格

DDR DRAM, 8MX16, 6ns, CMOS, PBGA90, 9 X 12.50 MM, 1 MM HEIGHT, GREEN, PLASTIC, VFBGA-90
HYE18M256160CF-6/7.5 QIMONDA

获取价格

DRAMs for Mobile Applications
HYE18M256320CF-6 QIMONDA

获取价格

DDR DRAM, 8MX32, 5.5ns, CMOS, PBGA90, 10 X 12.50 MM, 1 MM HEIGHT, GREEN, VFBGA-90
HYE18M256320CF-6/7.5 QIMONDA

获取价格

DRAMs for Mobile Applications
HYE18M256320CF-7.5 QIMONDA

获取价格

DDR DRAM, 8MX32, 6ns, CMOS, PBGA90, 10 X 12.50 MM, 1 MM HEIGHT, GREEN, VFBGA-90