Datasheet > 存储 > DRAM> HYE18L256169BFX-7.5

HYE18L256169BFX-7.5

更新时间： 2024-02-15 10:29:59

品牌	Logo	应用领域
奇梦达 - QIMONDA		存储内存集成电路动态存储器时钟
页数	文件大小	规格书
47页	1381K
描述
DRAMs for Mobile Applications 256-Mbit Mobile-RAM

阅读下载

中文翻译

获取价格

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

HYE18L256169BFX-7.5 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	VFBGA, BGA54,9X9,32
针数：	54	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.24
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST	最长访问时间：	5.4 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	最大时钟频率 (fCLK)：	133 MHz
I/O 类型：	COMMON	交错的突发长度：	1,2,4,8
JESD-30 代码：	R-PBGA-B54	长度：	11 mm
内存密度：	268435456 bit	内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度：	16	湿度敏感等级：	3
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	54	字数：	16777216 words
字数代码：	16000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-25 °C
组织：	16MX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	VFBGA
封装等效代码：	BGA54,9X9,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH	峰值回流温度（摄氏度）：	260
电源：	1.8 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	8192	座面最大高度：	1 mm
自我刷新：	YES	连续突发长度：	1,2,4,8,FP
最大待机电流：	0.00001 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.1 mA	最大供电电压 (Vsup)：	1.95 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL EXTENDED	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	宽度：	8 mm
Base Number Matches：	1

January 2007

HYB18L256169BFX-7.5

HYE18L256169BFX-7.5

DRAMs for Mobile Applications

256-Mbit Mobile-RAM

RoHS Compliant Product

Data Sheet

Rev. 1.01

12 3 4 5 6 7...47

中文翻译

下载PDF

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HYE18L256320CF-6	QIMONDA	获取价格	Synchronous DRAM, 8MX32, 5.5ns, CMOS, PBGA90, 10 X 12.50 MM, 1 MM HEIGHT, GREEN, PLASTIC,
HYE18L256320CF-7.5	QIMONDA	获取价格	Synchronous DRAM, 8MX32, 6ns, CMOS, PBGA90, 10 X 12.50 MM, 1 MM HEIGHT, GREEN, PLASTIC, VF
HYE18L512160BF-7.5	QIMONDA	获取价格	DRAMs for Mobile Applications 512-Mbit Mobile-RAM
HYE18L512320BF-7.5	QIMONDA	获取价格	DRAMs for Mobile Applications 512-Mbit SDR Mobile-RAM
HYE18M1G16	QIMONDA	获取价格	1-Gbit x16 DDR Mobile-RAM
HYE18M1G160BF-6	QIMONDA	获取价格	1-Gbit x16 DDR Mobile-RAM
HYE18M1G160BF-7.5	QIMONDA	获取价格	1-Gbit x16 DDR Mobile-RAM
HYE18M1G161BF-6	QIMONDA	获取价格	1-Gbit x16 DDR Mobile-RAM
HYE18M1G161BF-7.5	QIMONDA	获取价格	1-Gbit x16 DDR Mobile-RAM
HYE18M1G320BF-7.5	QIMONDA	获取价格	DRAMs for Mobile Applications 1-Gbit x32 DDR Mobile-RAM