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HYE18L512160BF-7.5

更新时间: 2024-01-31 08:24:24
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奇梦达 - QIMONDA 存储内存集成电路动态存储器时钟
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57页 2043K
描述
DRAMs for Mobile Applications 512-Mbit Mobile-RAM

HYE18L512160BF-7.5 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:BGA包装说明:TFBGA, BGA54,9X9,32
针数:54Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.28
风险等级:5.84访问模式:FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间:6 ns其他特性:AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK):133 MHzI/O 类型:COMMON
交错的突发长度:1,2,4,8JESD-30 代码:R-PBGA-B54
长度:12 mm内存密度:536870912 bit
内存集成电路类型:SYNCHRONOUS DRAM内存宽度:16
湿度敏感等级:3功能数量:1
端口数量:1端子数量:54
字数:33554432 words字数代码:32000000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-25 °C组织:32MX16
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TFBGA封装等效代码:BGA54,9X9,32
封装形状:RECTANGULAR封装形式:GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度(摄氏度):260电源:1.8 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:8192
座面最大高度:1.2 mm自我刷新:YES
连续突发长度:1,2,4,8,FP最大待机电流:0.001 A
子类别:DRAMs最大压摆率:0.18 mA
最大供电电压 (Vsup):1.95 V最小供电电压 (Vsup):1.7 V
标称供电电压 (Vsup):1.8 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL EXTENDED
端子形式:BALL端子节距:0.8 mm
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:40
宽度:8 mmBase Number Matches:1

HYE18L512160BF-7.5 数据手册

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December 2006  
HYB18L512160BF-7.5  
HYE18L512160BF-7.5  
DRAMs for Mobile Applications  
512-Mbit Mobile-RAM  
RoHS compliant  
Data Sheet  
Rev. 1.22  

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