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HY57V651620BLTC-10PI

更新时间： 2024-09-15 21:05:43

品牌	Logo	应用领域
海力士 - HYNIX		动态存储器 ISM频段光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
11页	141K
描述
Synchronous DRAM, 4MX16, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54

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HY57V651620BLTC-10PI 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TSOP2
包装说明：	TSOP2,	针数：	54
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.02	风险等级：	5.29
访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST	最长访问时间：	6 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	JESD-30 代码：	R-PDSO-G54
JESD-609代码：	e6	长度：	22.22 mm
内存密度：	67108864 bit	内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度：	16	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	54
字数：	4194304 words	字数代码：	4000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	4MX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP2
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
自我刷新：	YES	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	TIN BISMUTH
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	DUAL	宽度：	10.16 mm
Base Number Matches：	1

HY57V651620BLTC-10PI 数据手册

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HY57V651620B

4 Banks x 1M x 16Bit Synchronous DRAM

DESCRIPTION

The Hynix HY57V651620B is a 67,108,864-bit CMOS Synchronous DRAM, ideally suited for the Mobile applications

which require low power consumption and extended temperature range. HY57V651620B is organized as 4banks of

1,048,576x16.

HY57V651620B is offering fully synchronous operation referenced to a positive edge of the clock. All inputs and out-

puts are synchronized with the rising edge of the clock input. The data paths are internally pipelined to achieve very

high bandwidth. All input and output voltage levels are compatible with LVTTL.

Programmable options include the length of pipeline (Read latency of 2 or 3), the number of consecutive read or write

cycles initiated by a single control command (Burst length of 1,2,4,8 or Full page), and the burst count

sequence(sequential or interleave). A burst of read or write cycles in progress can be terminated by a burst terminate

command or can be interrupted and replaced by a new burst read or write command on any cycle. (This pipelined

design is not restricted by a `2N` rule.)

FEATURES

•

Single 3.3V ± 10% power supply

•

Auto refresh and self refresh

All device pins are compatible with LVTTL interface

4096 refresh cycles / 64ms

JEDEC standard 400mil 54pin TSOP-II with 0.8mm

of pin pitch

Programmable Burst Length and Burst Type

- 1, 2, 4, 8 or Full page for Sequential Burst

- 1, 2, 4 or 8 for Interleave Burst

•

All inputs and outputs referenced to positive edge of

system clock

•

Data mask function by UDQM or LDQM

Internal four banks operation

•

Programmable CAS Latency ; 2, 3 Clocks

ORDERING INFORMATION

Part No.

Clock Frequency

Power

Organization

Interface

Package

HY57V651620BTC-6I

HY57V651620BTC-7I

HY57V651620BTC-75I

HY57V651620BTC-10PI

HY57V651620BTC-10SI

HY57V651620BLTC-6I

HY57V651620BLTC-7I

HY57V651620BLTC-75I

HY57V651620BLTC-10PI

HY57V651620BLTC-10SI

166MHz

143MHz

133MHz

100MHz

166MHz

143MHz

133MHz

100MHz

100Mhz

Normal

power

4Banks x 1Mbits

x16

LVTTL

400mil 54pin TSOP II

Lower

Power

This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix semiconductor does not assume any

responsibility for use of circuits described. No patent licenses are implied.

Rev. 0.7/Nov. 01

12 3 4 5 6 7...11

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HY57V651620BLTC-10S	HYNIX	获取价格	4 Banks x 1M x 16Bit Synchronous DRAM
HY57V651620BLTC-10SI	HYNIX	获取价格	Synchronous DRAM, 4MX16, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54
HY57V651620BLTC-55	HYNIX	获取价格	4 Banks x 1M x 16Bit Synchronous DRAM
HY57V651620BLTC-6	HYNIX	获取价格	4 Banks x 1M x 16Bit Synchronous DRAM
HY57V651620BLTC-6I	HYNIX	获取价格	暂无描述
HY57V651620BLTC-7	HYNIX	获取价格	4 Banks x 1M x 16Bit Synchronous DRAM
HY57V651620BLTC-75	HYNIX	获取价格	4 Banks x 1M x 16Bit Synchronous DRAM
HY57V651620BLTC-75I	HYNIX	获取价格	暂无描述
HY57V651620BLTC-7I	HYNIX	获取价格	Synchronous DRAM, 4MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54
HY57V651620BLTC-8	HYNIX	获取价格	4 Banks x 1M x 16Bit Synchronous DRAM

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