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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | R-PDSO-G3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.70 |
| 风险等级： | 5.55 | Is Samacsys： | N |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 0.4 V |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | JESD-609代码： | e0 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 5 A | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最大输出电流： | 0.5 A | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 20 V | 子类别： | Rectifier Diodes |
| 表面贴装： | YES | 技术： | SCHOTTKY |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HRW0502A-E | RENESAS |
获取价格 |
0.5 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE, MPAK-3 |
|
| HRW0502ATL | RENESAS |
获取价格 |
0.5A, 20V, SILICON, SIGNAL DIODE |
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| HRW0502ATL | HITACHI |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.5A, 20V V(RRM), Silicon |
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| HRW0502ATR | HITACHI |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.5A, 20V V(RRM), Silicon |
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| HRW0502ATR | RENESAS |
获取价格 |
0.5A, 20V, SILICON, SIGNAL DIODE |
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| HRW0502ATR-E | RENESAS |
获取价格 |
0.5A, 20V, SILICON, SIGNAL DIODE |
|
| HRW0503 | HITACHI |
获取价格 |
Silicon Schottky Barrier Diode for Rectifying |
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| HRW0503A | KEXIN |
获取价格 |
Silicon Schottky Barrier Diode |
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| HRW0503A | TYSEMI |
获取价格 |
Low forward voltage drop and suitable for high effifiency rectifying. |
|
| HRW0503A | HITACHI |
获取价格 |
Silicon Schottky Barrier Diode for Rectifying |
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