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HRW0503ATL-E

更新时间: 2024-09-13 14:51:07
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS 光电二极管
页数 文件大小 规格书
6页 68K
描述
0.5A, 30V, SILICON, SIGNAL DIODE

HRW0503ATL-E 技术参数

是否无铅:不含铅生命周期:Obsolete
包装说明:R-PDSO-G3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.70
Factory Lead Time:1 week风险等级:5.52
Is Samacsys:N配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码:R-PDSO-G3元件数量:1
端子数量:3最大输出电流:0.5 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:30 V表面贴装:YES
技术:SCHOTTKY端子形式:GULL WING
端子位置:DUALBase Number Matches:1

HRW0503ATL-E 数据手册

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HRW0503A  
Silicon Schottky Barrier Diode for Rectifying  
REJ03G0158-0400Z  
(Previous: ADE-208-016C)  
Rev.4.00  
Jan.06.2004  
Features  
Low forward voltage drop and suitable for high efficiency rectifying.  
MPAK Package is suitable for high density surface mounting and high speed assembly.  
Ordering Information  
Type No.  
Laser Mark  
Package Code  
HRW0503A  
S6  
MPAK  
Pin Arrangement  
3
1. NC  
2. Anode  
2
1
(Top View)  
3. Cathode  
Rev.6.00, Jan.06.2004, page 1 of 5  

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