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HRW0703A

更新时间： 2024-02-08 05:18:04

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科信 - KEXIN		肖特基二极管
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描述
Silicon Schottky Barrier Diode

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HRW0703A 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.7
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
最大输出电流：	0.7 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	30 V
表面贴装：	YES	技术：	SCHOTTKY
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL

HRW0703A 数据手册

SMD Type

Diodes

Silicon Schottky Barrier Diode

HRW0703A

SOT-23

Unit: mm

+0.1

2.9

-0.1

+0.1

0.4

-0.1

Features

Low forward voltage drop and suitable for

high effifiency rectifying.

+0.1

0.95

-0.1

+0.05

0.1

-0.01

+0.1

1.9

-0.1

MPAK package is suittable for high density

surface mounting and high speed assembly.

1.Base

2.Emitter

3.collector

A bsolute M axim um R atings T a = 25

P aram eter

R epetitive peak reverse voltage

F orw ard current

S ym bol

V alue

U nit

V ^{R R M}

I^F

700

m A

N on-repetitive peak forw ard surge current

Junction tem perature

S torage tem perature

I^{F S M}(N ote 1)

T ^j

125

T st g

-55 to + 125

N ote

1. 50H z sine w ave 1 pulse

Electrical Characteristics Ta = 25

Parameter

Forward voltage

Symbol

Conditions

IF = 700 mA

Min

Typ

Max

0.50

100

Unit

V^F

I^R

Reverse current

Capacitance

VR = 30 V

V^R= 0 V, f = 1MHz

Polyimide board

Ceramic board

150

390

290

Thermal resistance

R^{th( j-a )}

Marking

www.kexin.com.cn

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与HRW0703A相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
HRW0703ATL	RENESAS	0.7A, 30V, SILICON, SIGNAL DIODE	获取价格
HRW0703ATR	HITACHI	Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.7A, 30V V(RRM), Silicon	获取价格
HRW0703ATR	RENESAS	Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.7A, 30V V(RRM), Silicon	获取价格
HRW0703ATR-E	HITACHI	0.7A, 30V, SILICON, SIGNAL DIODE	获取价格
HRW1002A(S)	HITACHI	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 10A, 20V V(RRM), Silicon	获取价格
HRW1002A(S)TL	RENESAS	暂无描述	获取价格