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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.70 | 风险等级： | 5.42 |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最大输出电流： | 0.5 A |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 30 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | SCHOTTKY | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| HRW0503A | KEXIN | Silicon Schottky Barrier Diode |
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| HRW0503A | TYSEMI | Low forward voltage drop and suitable for high effifiency rectifying. |
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| HRW0503A | HITACHI | Silicon Schottky Barrier Diode for Rectifying |
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| HRW0503ATL | HITACHI | 暂无描述 |
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| HRW0503ATL-E | RENESAS | 0.5A, 30V, SILICON, SIGNAL DIODE |
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| HRW0503ATR | RENESAS | 暂无描述 |
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