5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.70 | 风险等级： | 5.53 |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最大输出电流： | 0.2 A | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 30 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | SCHOTTKY |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HRW0203ATL-E | RENESAS |
获取价格 |
0.2A, 30V, SILICON, SIGNAL DIODE |
|
| HRW0203ATR | RENESAS |
获取价格 |
0.2A, 30V, SILICON, SIGNAL DIODE |
|
| HRW0203ATR-E | RENESAS |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| HRW0203B | RENESAS |
获取价格 |
Silicon Schottky Barrier Diode for Rectifying |
|
| HRW0302A | RENESAS |
获取价格 |
Silicon Schottky Barrier Diode for Rectifying |
|
| HRW0302A | KEXIN |
获取价格 |
Silicon Schottky Barrier Diode |
|
| HRW0302A | TYSEMI |
获取价格 |
Low forward voltage drop and suitable for high effifiency rectifying |
|
| HRW0302A | HITACHI |
获取价格 |
Silicon Schottky Barrier Diode for Rectifying |
|
| HRW0302ATL | RENESAS |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| HRW0302ATR | HITACHI |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.3A, 20V V(RRM), Silicon |
|
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
