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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SUPERMINI-6 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.78 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | LOW NOISE |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.015 A | 基于收集器的最大容量： | 0.85 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 10 V | 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS |
| 最高频带： | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND | JESD-30 代码： | R-PDSO-G6 |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 6 |
| 最高工作温度： | 125 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 10000 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HN3C12FU | TOSHIBA |
获取价格 |
NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (VHF~UHF BAND LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATIONS) |
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| HN3C13F | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PAIR | NPN | 10V V(BR)CEO | 30MA I(C) | TSOP |
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| HN3C13FU | TOSHIBA |
获取价格 |
NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (VHF~UHF BAND LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATIONS) |
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| HN3C14 | TOSHIBA |
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NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (VHF~UHF BAND LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATIONS) |
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| HN3C14F | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 2 CHANNEL, UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP RF Small Signal |
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| HN3C14FT | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 2 CHANNEL, UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP RF Small Signal |
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| HN3C14FU | TOSHIBA |
获取价格 |
NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (VHF~UHF BAND LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATIONS) |
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| HN3C14FU(TE85L) | TOSHIBA |
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TRANSISTOR,BJT,PAIR,NPN,10V V(BR)CEO,60MA I(C),SO |
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| HN3C15F | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PAIR | NPN | 7V V(BR)CEO | 40MA I(C) | TSOP |
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| HN3C15FU | TOSHIBA |
获取价格 |
NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (VHF~UHF BAND LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATIONS) |
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