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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | 2-2J1A, 6 PIN |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.78 |
| 其他特性： | LOW NOISE | 最大集电极电流 (IC)： | 0.015 A |
| 基于收集器的最大容量： | 0.8 pF | 集电极-发射极最大电压： | 7 V |
| 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS | 最高频带： | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G6 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 6 | 最高工作温度： | 125 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 12000 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HN3C16FU | TOSHIBA |
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NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (VHF~UHF BAND LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATIONS) |
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| HN3C16FU(TE85L) | TOSHIBA |
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TRANSISTOR,BJT,PAIR,NPN,7V V(BR)CEO,15MA I(C),SO |
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| HN3C17F | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PAIR | NPN | 5V V(BR)CEO | 20MA I(C) | TSOP |
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| HN3C17FU | TOSHIBA |
获取价格 |
NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (VHF~UHF BAND LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATIONS) |
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| HN3C17FU(TE85L) | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR,BJT,PAIR,NPN,5V V(BR)CEO,20MA I(C),SO |
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| HN3C18F | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PAIR | NPN | 5V V(BR)CEO | 10MA I(C) | SOT-363 |
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| HN3C18FT | TOSHIBA |
获取价格 |
NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (VHF~UHF BAND LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATIONS) |
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| HN3C18FU | TOSHIBA |
获取价格 |
NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (VHF~UHF BAND LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATIONS) |
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| HN3C51F | TOSHIBA |
获取价格 |
Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications |
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| HN3C51FBL | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 100 mA, 120 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SM6, 2-3N1B, 6 PIN, |
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