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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Lifetime Buy | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G5 |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8541.21.00.95 |
| 风险等级： | 5.25 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.15 A |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN BIPOLAR TRANSISTOR | 最小直流电流增益 (hFE)： | 120 |
| FET 技术： | JUNCTION | 最大反馈电容 (Crss)： | 3 pF |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G5 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 5 | 工作模式： | DEPLETION MODE |
| 最高工作温度： | 125 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HN3G01JBL | TOSHIBA |
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暂无描述 |
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| HN3G01J-BL(TE85L) | TOSHIBA |
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Small Signal Field-Effect Transistor |
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| HN3G01JGR | TOSHIBA |
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TRANSISTOR N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, FET General Purpose Small Signal |
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| HN3G01J-GR | TOSHIBA |
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TRANSISTOR N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, 2-3L1B, 5 PIN, FET General Purpose Small Sig |
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| HN3G01J-GR(TE85L) | TOSHIBA |
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Small Signal Field-Effect Transistor |
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| HN3G01J-GR(TE85L,F) | TOSHIBA |
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Small Signal Field-Effect Transistor |
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| HN3G01J-V | TOSHIBA |
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TRANSISTOR N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, 2-3L1B, 5 PIN, FET General Purpose Small Sig |
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| HN3GO1J | TOSHIBA |
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TRANSISTOR N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, SUPERMINI-5, FET General Purpose Small Signa |
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| HN41002+/-2% | VISHAY |
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Fixed Resistor, Metal Film, 0.25W, 10000ohm, 250V, 2% +/-Tol, 100ppm/Cel |
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| HN4400 | SEMTECH |
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NPN EXPITAXIAL SILICON TRANSISTOR |
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