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HN3C56FU

更新时间： 2024-11-06 12:23:03
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东芝 - TOSHIBA 放大器
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描述
Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications

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HN3C56FU 数据手册

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HN3C56FU  
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)  
HN3C56FU  
Unit: mm  
Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications  
z Small package (dual type)  
z High voltage and high current  
: V  
= 50V, I = 150mA (max)  
CEO C  
z High h  
: h = 120~400  
FE  
FE  
z Excellent h linearity  
: h (I = 0.1mA) / (I = 2mA)  
FE  
FE  
C
C
= 0.95 (typ.)  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
(Q1, Q2 Common)  
Characteristic  
Collector-base voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
CBO  
V
CEO  
V
EBO  
60  
50  
V
V
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
1.COLLECTOR1  
(C1)  
(E2)  
(C2)  
(E2)  
(B2)  
(B1)  
2.EMITTER1  
3.COLLECTOR2  
4.EMITTER2  
5.BASE2  
5
V
I
150  
30  
mA  
mA  
mW  
°C  
°C  
C
Base current  
I
B
6.BASE1  
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature range  
P *  
C
200  
150  
−55~150  
T
j
JEDEC  
JEITA  
―
―
T
stg  
Note:  
Using continuously under heavy loads (e.g. the application of  
high temperature/current/voltage and the significant change in  
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the  
TOSHIBA  
2-2J1A  
Weight: 0.0068mg (typ.)  
reliability significantly even if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are  
within the absolute maximum ratings.  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook  
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test  
report and estimated failure rate, etc).  
* Total rating. Power dissipation per element should not exceed 130mW.  
Electrical Characteristics (Ta = 25°C) (Q1, Q2 Common)  
Test  
Circuit  
Characteristic  
Symbol  
Test Condition  
= 60V, I = 0  
Min  
Typ.  
Max  
Unit  
Collector cut-off current  
Emitter cut-off current  
I
―
V
V
V
―
―
―
―
―
0.1  
―
2
0.1  
0.1  
400  
0.25  
―
μA  
μA  
―
V
CBO  
CB  
EB  
CE  
E
I
―
= 5V, I = 0  
C
EBO  
DC current gain  
h
―
= 6V, I = 2mA  
120  
―
FE  
C
Collector-emitter saturation voltage  
Transition frequency  
V
―
I
= 100mA, I =10mA  
C B  
CE (sat)  
f
―
V
V
= 10V, I = 1mA  
60  
―
MH  
z
T
CE  
C
Collector output capacitance  
C
―
= 10V, I = 0, f = 1MH  
E z  
―
pF  
ob  
CB  
Marking  
Equivalent Circuit (Top View)  
4
6
1
5
2
6
5
38  
2
4
3
Q1  
Q2  
1
3
1
2007-11-01  
123

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