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| 生命周期： | Active | 包装说明： | , |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.61 |
| Is Samacsys： | N | 最大集电极电流 (IC)： | 0.08 A |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 80 | 最高工作温度： | 125 °C |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.1 W |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 标称过渡频率 (fT)： | 5000 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HN3C10FT | TOSHIBA |
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VHF-UHF BAND LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATIONS |
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| HN3C10FU | TOSHIBA |
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NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (VHF~UHF BAND LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATIONS) |
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| HN3C10FU(TE85L) | TOSHIBA |
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TRANSISTOR,BJT,PAIR,NPN,12V V(BR)CEO,80MA I(C),TSOP |
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| HN3C11F | TOSHIBA |
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NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (VHF~UHF BAND LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATIONS) |
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| HN3C11FU | TOSHIBA |
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NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (VHF~UHF BAND LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATIONS) |
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| HN3C12 | TOSHIBA |
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NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (VHF~UHF BAND LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATIONS) |
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| HN3C12F | TOSHIBA |
获取价格 |
NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (VHF~UHF BAND LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATIONS) |
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| HN3C12FU | TOSHIBA |
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NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (VHF~UHF BAND LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATIONS) |
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| HN3C13F | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PAIR | NPN | 10V V(BR)CEO | 30MA I(C) | TSOP |
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| HN3C13FU | TOSHIBA |
获取价格 |
NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (VHF~UHF BAND LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATIONS) |
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