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HN3C09FU

更新时间: 2024-09-14 22:29:27
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东芝 - TOSHIBA 晶体放大器小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管光电二极管局域网
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1页 93K
描述
NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (VHF~UHF BAND LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATIONS)

HN3C09FU 技术参数

生命周期:Active包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数:6Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.21.00.75
风险等级:5.38Is Samacsys:N
其他特性:LOW NOISE最大集电极电流 (IC):0.03 A
基于收集器的最大容量:0.85 pF集电极-发射极最大电压:12 V
配置:SEPARATE, 2 ELEMENTS最小直流电流增益 (hFE):80
最高频带:ULTRA HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码:R-PDSO-G6
JESD-609代码:e0元件数量:2
端子数量:6最高工作温度:125 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:NPN
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:YES端子面层:TIN LEAD
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):7000 MHzBase Number Matches:1

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