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| 生命周期： | Active | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 | 风险等级： | 5.7 |
| Is Samacsys： | N | 最大集电极电流 (IC)： | 0.15 A |
| 基于收集器的最大容量： | 3.5 pF | 集电极-发射极最大电压： | 50 V |
| 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS | 最小直流电流增益 (hFE)： | 120 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G6 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 6 | 最高工作温度： | 125 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | NPN |
| 功耗环境最大值： | 0.2 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.2 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 80 MHz | VCEsat-Max： | 0.25 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HN2C10FT | TOSHIBA |
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VHF~UHF BAND LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATIONS |
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| HN2C10FU | TOSHIBA |
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NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (VHF~UHF BAND LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATIONS) |
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| HN2C11FU | TOSHIBA |
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NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (VHF~UHF BAND LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATIONS) |
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| HN2C12FT | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PAIR | NPN | 8V V(BR)CEO | 15MA I(C) | TSOP |
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| HN2C12FU | TOSHIBA |
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NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (VHF~UHF BAND LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATIONS) |
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| HN2C13FT | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PAIR | NPN | 5V V(BR)CEO | 15MA I(C) | TSOP |
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| HN2C14FT | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 2 CHANNEL, UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP RF Small Signal |
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| HN2C26FS | TOSHIBA |
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Frequency General-Purpose Amplifier Applications |
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| HN2C26FS-Y | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, LEAD FREE, 2-1F1C, F |
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| HN2D01F | TOSHIBA |
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DIODE (ULTRA HIGH SPEED SWITCHING APPLICATIONS) |
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