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HN2D02FU(T5LHLS,F) PDF预览

HN2D02FU(T5LHLS,F)

更新时间： 2024-11-11 15:34:11
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 202K
描述
Rectifier Diode, 3 Element, 0.08A, 85V V(RRM), Silicon

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HN2D02FU(T5LHLS,F) 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：R-PDSO-G6
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.70风险等级：5.71
配置：SEPARATE, 3 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJESD-30 代码：R-PDSO-G6
元件数量：3端子数量：6
最高工作温度：125 °C最大输出电流：0.08 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE最大功率耗散：0.2 W
最大重复峰值反向电压：85 V最大反向恢复时间：0.004 µs
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUALBase Number Matches：1

HN2D02FU(T5LHLS,F) 数据手册

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HN2D02FU  
TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type  
HN2D02FU  
Unit: mm  
Ultra High Speed Switching Application  
z HN2D02FU is composed of 3 independent diodes.  
z Low forward voltage : V = 0.98V (typ.)  
z Fast reverse recovery time : t = 1.6 ns (typ.)  
F(3)  
rr  
z Small total capacitance  
: C = 0.5 pF (typ.)  
T
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristic  
Symbol  
Rating  
Unit  
Maximum (peak) reverse Voltage  
Reverse voltage  
V
85  
80  
V
V
RM  
V
R
Maximum (peak) forward current  
Average forward current  
Surge current (10ms)  
Power dissipation  
I
240 *  
80 *  
mA  
mA  
A
FM  
1
6
5
I
O
2
3
I
1 *  
FSM  
P
4
200  
mW  
°C  
°C  
Junction temperature  
T
125  
j
JEDEC  
―
―
Storage temperature  
T
−55 to 125  
JEITA  
stg  
TOSHIBA  
1-2T1E  
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high  
temperature/current/voltage and the significant change in  
Weight: 6.8 mg (typ.)  
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even if the operating  
conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum ratings.  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook  
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test  
report and estimated failure rate, etc).  
*
: This is absolute maximum rating of single diode (Q1 or Q2 or Q3).  
In the case of using 2 ro 3 diodes, the absolute maximum ratings  
per diodes is 75 % of the single diode one.  
Electrical Characteristics (Q1, Q2, Q3 Common, Ta = 25°C)  
Characteristic  
Symbol  
Test Condition  
Min  
Typ.  
Max  
Unit  
V
V
V
V
I
I
I
= 1 mA  
―
―
―
―
―
―
―
0.62  
0.75  
0.98  
―
―
―
F (1)  
F (2)  
F (3)  
R (1)  
R (2)  
F
F
F
Forward voltage  
= 10 mA  
= 100 mA  
1.20  
0.1  
0.5  
3.0  
4.0  
I
I
V
V
V
I
= 30 V  
R
R
R
Reverse current  
μA  
= 80 V  
―
Total capacitance  
C
T
= 0, f = 1 MH  
0.5  
1.6  
pF  
ns  
z
Reverse recovery time  
t
= 10mA  
(Fig.1)  
rr  
F
Start of commercial production  
1990-10  
1
2014-03-01  
1234

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