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HN2D03F

更新时间： 2024-11-11 03:42:23
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东芝 - TOSHIBA 整流二极管开关测试光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 217K
描述
High Speed Switching Application

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HN2D03F 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
零件包装代码：SOD包装说明：1-3K1C, 6 PIN
针数：6Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.70
风险等级：5.59其他特性：ULTRA HIGH SPEED SWITCHING
配置：SEPARATE, 3 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJESD-30 代码：R-PDSO-G6
元件数量：3端子数量：6
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：0.1 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED最大功率耗散：0.3 W
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：420 V
最大反向电流：1 µA最大反向恢复时间：0.5 µs
反向测试电压：400 V子类别：Other Diodes
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

HN2D03F 数据手册

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HN2D03F  
TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type  
HN2D03F  
High Speed Switching Application  
Unit in mm  
z Small package  
z Low forward voltage  
z Small total capacitance  
: V  
= 0.94V (typ.)  
F (2)  
: C = 2.5pF (typ.)  
T
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristic  
Symbol  
Rating  
Unit  
Maximum (peak) reverse voltage  
Reverse voltage  
V
420  
400  
V
V
RM  
V
R
Maximum (peak) forward current  
Average forward current  
Surge current (10ms)  
Power dissipation  
I
300*  
100*  
2*  
mA  
mA  
A
FM  
I
O
I
FSM  
P
1.CATHODE(C1)  
300**  
150  
mW  
°C  
°C  
2.CATHODE(C2)  
3.CATHODE(C3)  
4.ANODE (A3)  
5.ANODE (A2)  
6.ANODE (A1)  
Junction temperature  
T
j
Storage temperature  
T
−55~150  
stg  
―
―
JEDEC  
JEITA  
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high  
temperature/current/voltage and the significant change in  
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the  
reliability significantly even if the operating conditions (i.e. operating  
temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum  
ratings.  
1-3K1C  
TOSHIBA  
Weight: 0.015mg(typ.)  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook  
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test  
report and estimated failure rate, etc).  
*: Absolute Maximum Ratings per each one of Q1,Q2 or Q3. In case of simultaneous use, the Absolute Maximum  
Ratings per diode shall be derated to 75%.  
**: Total rating  
Electrical Characteristics (Q1, Q2, Q3, Common, Ta = 25°C)  
Test  
Circuit  
Characteristic  
Symbol  
Test Condition  
= 10mA  
Min  
Typ.  
Max  
Unit  
V
V
V
―
I
I
―
―
―
―
―
―
0.8  
1.0  
―
―
1.3  
0.1  
1.0  
―
F (1)  
F (2)  
R (1)  
R (2)  
F
F
Forward voltage  
―
= 100mA  
I
I
―
V
V
V
= 300V  
R
R
R
Reverse current  
μA  
―
= 400V  
―
Total capacitance  
C
T
―
= 0, f = 1MHz  
2.5  
0.5  
pF  
us  
Reverse recovery time  
t
―
I
= 10mA (fig.1)  
F
―
rr  
1
2007-11-22  
1234

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