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| 是否无铅： | 含铅 | 生命周期： | End Of Life |
| 零件包装代码： | SC-88 | 包装说明： | CASE 419B-02, SC-88, 6 PIN |
| 针数： | 6 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.70 |
| 风险等级： | 5.43 | Is Samacsys： | N |
| 配置： | SEPARATE, 3 ELEMENTS | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 1.2 V |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G6 | JESD-609代码： | e0 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 3 |
| 端子数量： | 6 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 最大输出电流： | 0.1 A |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 235 |
| 最大功率耗散： | 0.3 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 85 V | 最大反向电流： | 0.1 µA |
| 最大反向恢复时间： | 0.003 µs | 反向测试电压： | 75 V |
| 子类别： | Other Diodes | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| HN2D02FUTW1T1G | ONSEMI |
类似代替  |
Ultra High Speed Switching Diodes |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HN2D02FUTW1T1/D | ETC |
获取价格 |
Ultra High Speed Switching Diodes |
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| HN2D02FUTW1T1G | ONSEMI |
获取价格 |
Ultra High Speed Switching Diodes |
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| HN2D03F | TOSHIBA |
获取价格 |
High Speed Switching Application |
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| HN2D03F(TE85L,F) | TOSHIBA |
获取价格 |
HN2D03F(TE85L,F) |
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| HN2E01F | TOSHIBA |
获取价格 |
MULTI CHIP DISCRETE DEVICE Super High Speed Switching Application |
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| HN2E01F_07 | TOSHIBA |
获取价格 |
MULTI CHIP DISCRETE DEVICE Super High Speed Switching Application |
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| HN2E01FA | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR,BJT,NPN,50V V(BR)CEO,150MA I(C),TSOP |
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| HN2E01FB | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR,BJT,NPN,50V V(BR)CEO,150MA I(C),TSOP |
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| HN2E02F | TOSHIBA |
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Super High Speed Switching Application |
|
| HN2E02F-BL | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 150 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-3N1D, SM6, 6 PIN, BIP General |
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