5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > HN2D02FU(TE85L,F)
HN2D02FU(TE85L,F) PDF预览

HN2D02FU(TE85L,F)

更新时间： 2024-11-11 21:09:59
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 测试
页数 文件大小 规格书
4页 196K
描述
HN2D02FU(TE85L,F)

阅读下载

中文翻译

获取价格

HN2D02FU(TE85L,F) 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.59最大正向电压 (VF)：1.2 V
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-55 °C
最大功率耗散：0.2 W最大重复峰值反向电压：85 V
最大反向电流：0.5 µA最大反向恢复时间：0.004 µs
反向测试电压：80 V子类别：Other Diodes
表面贴装：YESBase Number Matches：1

HN2D02FU(TE85L,F) 数据手册

 浏览型号HN2D02FU(TE85L,F)的Datasheet PDF文件第2页浏览型号HN2D02FU(TE85L,F)的Datasheet PDF文件第3页浏览型号HN2D02FU(TE85L,F)的Datasheet PDF文件第4页 
HN2D02FU  
TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type  
HN2D02FU  
Unit: mm  
Ultra High Speed Switching Application  
z HN2D02FU is composed of 3 independent diodes.  
z Low forward voltage : V = 0.98V (typ.)  
z Fast reverse recovery time : t = 1.6 ns (typ.)  
F(3)  
rr  
z Small total capacitance  
: C = 0.5 pF (typ.)  
T
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristic  
Symbol  
Rating  
Unit  
Maximum (peak) reverse Voltage  
Reverse voltage  
V
85  
80  
V
V
RM  
V
R
Maximum (peak) forward current  
Average forward current  
Surge current (10ms)  
Power dissipation  
I
240 *  
80 *  
mA  
mA  
A
FM  
1
6
5
I
O
2
3
I
1 *  
FSM  
P
4
200  
mW  
°C  
°C  
Junction temperature  
T
j
125  
JEDEC  
―
―
Storage temperature  
T
−55 to 125  
JEITA  
stg  
TOSHIBA  
1-2T1E  
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high  
temperature/current/voltage and the significant change in  
Weight: 6.8 mg (typ.)  
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even if the operating  
conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum ratings.  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook  
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test  
report and estimated failure rate, etc).  
*
: This is absolute maximum rating of single diode (Q1 or Q2 or Q3).  
In the case of using 2 ro 3 diodes, the absolute maximum ratings  
per diodes is 75 % of the single diode one.  
Electrical Characteristics (Q1, Q2, Q3 Common, Ta = 25°C)  
Characteristic  
Symbol  
Test Condition  
Min  
Typ.  
Max  
Unit  
V
V
V
V
I
I
I
= 1 mA  
―
―
―
―
―
―
―
0.62  
0.75  
0.98  
―
―
―
F (1)  
F (2)  
F (3)  
R (1)  
R (2)  
F
F
F
Forward voltage  
= 10 mA  
= 100 mA  
1.20  
0.1  
0.5  
3.0  
4.0  
I
I
V
V
V
I
= 30 V  
R
R
R
Reverse current  
μA  
= 80 V  
―
Total capacitance  
C
T
= 0, f = 1 MH  
0.5  
1.6  
pF  
ns  
z
Reverse recovery time  
t
= 10mA  
(Fig.1)  
rr  
F
1
2007-11-01  
1234

中文翻译

下载PDF

与HN2D02FU(TE85L,F)相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
HN2D02FU(TE85LF) TOSHIBA

获取价格

 		Rectifier Diode
HN2D02FU,LF TOSHIBA

获取价格

 		Rectifier Diode
HN2D02FUTW1T1 ONSEMI

获取价格

 		Ultra High Speed Switching Diodes
HN2D02FUTW1T1/D ETC

获取价格

 		Ultra High Speed Switching Diodes
HN2D02FUTW1T1G ONSEMI

获取价格

 		Ultra High Speed Switching Diodes
HN2D03F TOSHIBA

获取价格

 		High Speed Switching Application
HN2D03F(TE85L,F) TOSHIBA

获取价格

 		HN2D03F(TE85L,F)
HN2E01F TOSHIBA

获取价格

 		MULTI CHIP DISCRETE DEVICE Super High Speed Switching Application
HN2E01F_07 TOSHIBA

获取价格

 		MULTI CHIP DISCRETE DEVICE Super High Speed Switching Application
HN2E01FA TOSHIBA

获取价格

 		TRANSISTOR,BJT,NPN,50V V(BR)CEO,150MA I(C),TSOP

与HN2D02FU(TE85L,F)相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证