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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | TU6, 6 PIN | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.92 | 其他特性： | LOW NOISE |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.015 A | 基于收集器的最大容量： | 0.9 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 7 V | 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS |
| 最高频带： | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND | JESD-30 代码： | R-PDSO-G6 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 6 | 最高工作温度： | 125 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 12000 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HN2C26FS | TOSHIBA |
获取价格 |
Frequency General-Purpose Amplifier Applications |
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| HN2C26FS-Y | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, LEAD FREE, 2-1F1C, F |
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| HN2D01F | TOSHIBA |
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DIODE (ULTRA HIGH SPEED SWITCHING APPLICATIONS) |
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| HN2D01F_07 | TOSHIBA |
获取价格 |
Ultra High Speed Switching Application |
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| HN2D01FTE85L | TOSHIBA |
获取价格 |
DIODE 0.08 A, 3 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode |
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| HN2D01FTE85R | TOSHIBA |
获取价格 |
DIODE 0.08 A, 3 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode |
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| HN2D01FU | TOSHIBA |
获取价格 |
Silicon Epitaxial Planar Type Ultra High Speed Switching Application |
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| HN2D01FU(T5LMAA,F) | TOSHIBA |
获取价格 |
Rectifier Diode, 3 Element, 0.08A, 85V V(RRM), Silicon |
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| HN2D01FU(TE85L,F) | TOSHIBA |
获取价格 |
ARRAY OF INDEPENDENT DIODES,SOT-363 |
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| HN2D01FU(TE85LF) | TOSHIBA |
获取价格 |
Rectifier Diode |
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