是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | SC-74 |
包装说明: | R-PDSO-G6 | 针数: | 6 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.10.00.70 | 风险等级: | 5.68 |
配置: | SEPARATE, 3 ELEMENTS | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF): | 1.2 V |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G6 | JESD-609代码: | e0 |
最大非重复峰值正向电流: | 1 A | 元件数量: | 3 |
端子数量: | 6 | 最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 最大输出电流: | 0.08 A |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 240 |
最大功率耗散: | 0.3 W | 认证状态: | Not Qualified |
最大重复峰值反向电压: | 85 V | 最大反向电流: | 0.5 µA |
最大反向恢复时间: | 0.004 µs | 反向测试电压: | 80 V |
子类别: | Other Diodes | 表面贴装: | YES |
端子面层: | TIN LEAD | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
HN2D01F_07 | TOSHIBA |
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Ultra High Speed Switching Application | |
HN2D01FTE85L | TOSHIBA |
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DIODE 0.08 A, 3 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode | |
HN2D01FTE85R | TOSHIBA |
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DIODE 0.08 A, 3 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode | |
HN2D01FU | TOSHIBA |
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Silicon Epitaxial Planar Type Ultra High Speed Switching Application | |
HN2D01FU(T5LMAA,F) | TOSHIBA |
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Rectifier Diode, 3 Element, 0.08A, 85V V(RRM), Silicon | |
HN2D01FU(TE85L,F) | TOSHIBA |
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ARRAY OF INDEPENDENT DIODES,SOT-363 | |
HN2D01FU(TE85LF) | TOSHIBA |
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Rectifier Diode | |
HN2D01FUTE85L | TOSHIBA |
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DIODE 0.08 A, 3 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode | |
HN2D01FUTE85N | TOSHIBA |
获取价格 |
DIODE 0.08 A, 3 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode | |
HN2D01FUTE85R | TOSHIBA |
获取价格 |
DIODE 0.08 A, 3 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode |