HN1A26FS

更新时间： 2024-01-05 15:22:49

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东芝 - TOSHIBA		晶体放大器小信号双极晶体管光电二极管 PC
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3页	145K
描述
Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) Frequency General-Purpose Amplifier Applications

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HN1A26FS 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	End Of Life
包装说明：	LEAD FREE, 2-1F1D, FS6, 6 PIN	针数：	6
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.52
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS	最小直流电流增益 (hFE)：	120
JESD-30 代码：	R-PDSO-F6	元件数量：	2
端子数量：	6	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.05 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	80 MHz	Base Number Matches：	1

HN1A26FS 数据手册

HN1A26FS

Q1, Q2 Common

hFE - IC

IC - VCE

1000

100

-120

COMMON EMITTER Ta = 25°C

ꢀ

-2.0

-100

-80

-60

-40

-20

-1.5

Ta = 100°C 25

-1.0

-0.7

-0.5

-25

-0.3

-0.2

COMMON EMITTER

VCE = 6V

ꢀꢀꢀ

ꢀꢀ

−

VCE = 1V

−

IB = -0.1mA

-0

-0.1

-1

-10

-100

-1

-2

-3

-4

-5

-6

-7

COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE VCE (V)

COLLECTOR CURRENT IC (mA)

VCE(sat) - IC

VBE(sat) - IC

-1

-10

COMMON EMITTER

IC/IB = 10

COMMON EMITTER

IC/IB = 10

-25

-0.1

-1

Ta = 100°C

-25

-0.1

-0.01

-0.1

-1

-10

-100

-0.1

-1

-10

-100

COLLECTOR CURRENT IC (mA)

IB - VBE

PC - Ta

-1000

-100

-10

100

Mounted on FR4 board

(10 mm × 10 mm × 1 mmt)

ꢀꢀꢀꢀꢀ

Ta = 100°C

-25

-1

COMMON EMITTER

VCE = 6V

−

-0.1

20 40 60 80 100 120 140 160 180

AMBIENT TEMPERATURE Ta (°C)

-0

-0.2

-0.4

-0.6

-0.8

-1

-1.2

-1.4

BASE-EMITTER VOLTAGE VBE (V)

2007-11-01

123

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