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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.91 |
| 最长访问时间： | 120 ns | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-PDIP-T24 | JESD-609代码： | e0 |
| 内存密度： | 16384 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 8 | 端子数量： | 24 |
| 字数： | 2048 words | 字数代码： | 2000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 2KX8 |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | DIP | 封装等效代码： | DIP24,.6 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大待机电流： | 0.002 A |
| 最小待机电流： | 4.5 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.08 mA | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HM3-6116B-2 | ETC |
获取价格 |
2K x 8 GENERAL PURPOSE CMOS SRAM |
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| HM3-6116B-5 | ETC |
获取价格 |
2K x 8 GENERAL PURPOSE CMOS SRAM |
|
| HM3-6116B-6 | ETC |
获取价格 |
2K x 8 GENERAL PURPOSE CMOS SRAM |
|
| HM3-6116B-9 | ETC |
获取价格 |
2K x 8 GENERAL PURPOSE CMOS SRAM |
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| HM3-6116L-2 | ETC |
获取价格 |
2K x 8 GENERAL PURPOSE CMOS SRAM |
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| HM3-6116L-5 | TEMIC |
获取价格 |
Standard SRAM, 2KX8, 120ns, CMOS, PDIP24, |
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| HM3-6116L-6 | ETC |
获取价格 |
2K x 8 GENERAL PURPOSE CMOS SRAM |
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| HM3-6116L-9 | TEMIC |
获取价格 |
Standard SRAM, 2KX8, 120ns, CMOS, PDIP24, |
|
| HM36-12111R0LF | TTELEC |
获取价格 |
High Current Low Profile Low Loss Ferrite Surface Mount Inductors |
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| HM36-12111R4LF | TTELEC |
获取价格 |
High Current Low Profile Low Loss Ferrite Surface Mount Inductors |
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