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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | DIP | 包装说明： | PLASTIC, DIP-16 |
| 针数： | 16 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.41 |
| 风险等级： | 5.89 | 最长访问时间： | 250 ns |
| JESD-30 代码： | R-PDIP-T16 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 19.17 mm | 内存密度： | 1024 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 1 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 16 |
| 字数： | 1024 words | 字数代码： | 1000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 1KX1 |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | DIP | 封装等效代码： | DIP16,.3 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 5.33 mm | 最大待机电流： | 0.00001 A |
| 最小待机电流： | 2 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.0068 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 宽度： | 7.62 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HM3-6514-9 | INTERSIL |
获取价格 |
1024 x 4 CMOS RAM |
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| HM3-6514-9 | ROCHESTER |
获取价格 |
Standard SRAM, 1KX4, 300ns, CMOS, PDIP18, DIP-18 |
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| HM3-6514B-9 | INTERSIL |
获取价格 |
1024 x 4 CMOS RAM |
|
| HM3-6514B-9 | ROCHESTER |
获取价格 |
Standard SRAM, 1KX4, 200ns, CMOS, PDIP18, DIP-18 |
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| HM3-6514C-9 | RENESAS |
获取价格 |
IC,SRAM,1KX4,CMOS,DIP,18PIN,PLASTIC |
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| HM3-6514S-9 | INTERSIL |
获取价格 |
1024 x 4 CMOS RAM |
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| HM3-6514S-9 | ROCHESTER |
获取价格 |
Standard SRAM, 1KX4, 120ns, CMOS, PDIP18, DIP-18 |
|
| HM3-65161-5 | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM |
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| HM3-65161-9 | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM |
|
| HM3-65162-5 | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM |
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