生命周期: | Contact Manufacturer | 包装说明: | DIP, |
Reach Compliance Code: | unknown | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.8 | Is Samacsys: | N |
最长访问时间: | 200 ns | 其他特性: | ADDRESS LATCH; LOW POWER STANDBY MODE; TTL COMPATIBLE INPUTS/OUTPUTS |
JESD-30 代码: | R-PDIP-T18 | 内存密度: | 4096 bit |
内存集成电路类型: | STANDARD SRAM | 内存宽度: | 4 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 18 |
字数: | 1024 words | 字数代码: | 1000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 1KX4 |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | DIP |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
并行/串行: | PARALLEL | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | DUAL | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
HM3-6514C-9 | RENESAS |
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IC,SRAM,1KX4,CMOS,DIP,18PIN,PLASTIC | |
HM3-6514S-9 | INTERSIL |
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1024 x 4 CMOS RAM | |
HM3-6514S-9 | ROCHESTER |
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Standard SRAM, 1KX4, 120ns, CMOS, PDIP18, DIP-18 | |
HM3-65161-5 | ETC |
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x8 SRAM | |
HM3-65161-9 | ETC |
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x8 SRAM | |
HM3-65162-5 | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM | |
HM3-65162-5:D | TEMIC |
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Standard SRAM, 2KX8, 70ns, CMOS, PDIP24, | |
HM3-65162-5+ | TEMIC |
获取价格 |
Standard SRAM, 2KX8, 70ns, CMOS, PDIP24, | |
HM3-65162-9 | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM | |
HM3-65162-9:D | TEMIC |
获取价格 |
Standard SRAM, 2KX8, 85ns, CMOS, PDIP24, |