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HM3-6514S-9

更新时间: 2024-11-28 20:19:55
品牌 Logo 应用领域
罗彻斯特 - ROCHESTER 双倍数据速率输入元件静态存储器光电二极管输出元件内存集成电路
页数 文件大小 规格书
7页 140K
描述
Standard SRAM, 1KX4, 120ns, CMOS, PDIP18, DIP-18

HM3-6514S-9 技术参数

生命周期:Contact Manufacturer包装说明:DIP,
Reach Compliance Code:unknownHTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.78Is Samacsys:N
最长访问时间:120 ns其他特性:ADDRESS LATCH; LOW POWER STANDBY MODE; TTL COMPATIBLE INPUTS/OUTPUTS
JESD-30 代码:R-PDIP-T18内存密度:4096 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:4
功能数量:1端子数量:18
字数:1024 words字数代码:1000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:1KX4
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:DIP
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:DUALBase Number Matches:1

HM3-6514S-9 数据手册

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