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HM3-6514-9

更新时间： 2024-09-18 22:33:31
品牌 Logo 应用领域
英特矽尔 - INTERSIL 内存集成电路静态存储器光电二极管输出元件输入元件双倍数据速率
页数 文件大小 规格书
7页 44K
描述
1024 x 4 CMOS RAM

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HM3-6514-9 数据手册

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HM-6514  
1024 x 4 CMOS RAM  
March 1997  
Features  
Description  
• Low Power Standby. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 125µW Max The HM-6514 is a 1024 x 4 static CMOS RAM fabricated  
using self-aligned silicon gate technology. The device utilizes  
synchronous circuitry to achieve high performance and low  
• Low Power Operation . . . . . . . . . . . . . 35mW/MHz Max  
power operation.  
• Data Retention . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . at 2.0V Min  
• TTL Compatible Input/Output  
On-chip latches are provided for addresses allowing efficient  
interfacing with microprocessor systems. The data output  
can be forced to a high impedance state for use in expanded  
memory arrays.  
• Common Data Input/Output  
• Three-State Output  
Gated inputs allow lower operating current and also elimi-  
nate the need for pull up or pull down resistors. The  
HM-6514 is a fully static RAM and may be maintained in any  
state for an indefinite period of time.  
• Standard JEDEC Pinout  
• Fast Access Time. . . . . . . . . . . . . . . . . . 120/200ns Max  
• 18 Pin Package for High Density  
• On-Chip Address Register  
Data retention supply voltage and supply current are guaran-  
teed over temperature.  
• Gated Inputs - No Pull Up or Pull Down Resistors  
Required  
Ordering Information  
120ns  
HM3-6514S-9  
HM1-6514S-9  
24502BVA  
8102402VA  
-
200ns  
300ns  
HM3-6514-9  
HM1-6514-9  
-
TEMPERATURE RANGE  
PACKAGE  
PDIP  
PKG. NO.  
E18.3  
o
o
HM3-6514B-9  
-40 C to +85 C  
o
o
HM1-6514B-9  
-40 C to +85 C  
CERDIP  
JAN#  
F18.3  
F18.3  
F18.3  
J18.B  
J18.B  
-
-
-
8102404VA  
8102406VA  
-
SMD#  
CLCC  
o
o
-
-
-40 C to +85 C  
o
o
-
HM4-6514-B  
-55 C to +125 C  
Pinouts  
HM-6514 (PDIP, CERDIP)  
HM-6514 (CLCC)  
TOP VIEW  
TOP VIEW  
PIN  
A
DESCRIPTION  
1
2
3
4
5
6
7
8
9
18  
17  
16  
15  
14  
13  
12  
11  
10  
A6  
A5  
V
CC  
2
1
18 17  
A7  
Address Input  
Chip Enable  
Write Enable  
Data Input  
16  
A8  
3
4
5
6
7
A4  
A3  
A0  
A1  
A2  
A4  
A8  
E
15 A9  
A3  
A9  
W
D
A0  
DQ0  
DQ1  
DQ2  
DQ3  
W
14 DQ0  
A1  
13  
12  
DQ1  
DQ2  
A2  
Q
Data Output  
E
8
9
10 11  
GND  
CAUTION: These devices are sensitive to electrostatic discharge; follow proper IC Handling Procedures.  
File Number 2995.1  
http://www.intersil.com or 407-727-9207 | Copyright © Intersil Corporation 19996-1  
1234567

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HM3-6514-9 替代型号

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