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HM3-65162-9:D

更新时间: 2024-11-08 14:42:35
品牌 Logo 应用领域
TEMIC 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
10页 370K
描述
Standard SRAM, 2KX8, 85ns, CMOS, PDIP24,

HM3-65162-9:D 技术参数

生命周期:TransferredReach Compliance Code:unknown
风险等级:5.77最长访问时间:85 ns
JESD-30 代码:R-PDIP-T24内存密度:16384 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
功能数量:1端口数量:1
端子数量:24字数:2048 words
字数代码:2000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:2KX8输出特性:3-STATE
可输出:YES封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL认证状态:Not Qualified
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

HM3-65162-9:D 数据手册

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