是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.89 |
Is Samacsys: | N | 最长访问时间: | 70 ns |
I/O 类型: | SEPARATE | JESD-30 代码: | R-PDIP-T20 |
JESD-609代码: | e0 | 内存密度: | 16384 bit |
内存集成电路类型: | STANDARD SRAM | 内存宽度: | 1 |
端子数量: | 20 | 字数: | 16384 words |
字数代码: | 16000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 16KX1 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | DIP |
封装等效代码: | DIP20,.3 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 并行/串行: | PARALLEL |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
最小待机电流: | 2 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.05 mA | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | DUAL | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
HM3-65262B-9+ | ETC |
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x1 SRAM | |
HM3-65262C-5 | ETC |
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x1 SRAM | |
HM3-65262C-5+ | TEMIC |
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Standard SRAM, 16KX1, 70ns, CMOS, PDIP20, | |
HM3-65262C-9 | TEMIC |
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Standard SRAM, 16KX1, 85ns, CMOS, PDIP20, | |
HM3-65262C-9+ | TEMIC |
获取价格 |
Standard SRAM, 16KX1, 85ns, CMOS, PDIP20, | |
HM3-65262S-9 | RENESAS |
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Standard SRAM, 16KX1, 55ns, CMOS, PDIP20 | |
HM3-6551B-9 | ROCHESTER |
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256X4 STANDARD SRAM, 220ns, PDIP22 | |
HM3-6561-5 | RENESAS |
获取价格 |
IC,SYNC SRAM,256X4,CMOS,DIP,18PIN,PLASTIC | |
HM3-6561-5 | ROCHESTER |
获取价格 |
Standard SRAM, 256X4, 360ns, CMOS, PDIP18 | |
HM3-65641-5 | ETC |
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x8 SRAM |