5秒后页面跳转
HM3-65262B-9 PDF预览

HM3-65262B-9

更新时间: 2024-11-26 20:21:11
品牌 Logo 应用领域
TEMIC 输入元件静态存储器光电二极管输出元件内存集成电路
页数 文件大小 规格书
9页 392K
描述
Standard SRAM, 16KX1, 70ns, CMOS, PDIP20,

HM3-65262B-9 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.89
Is Samacsys:N最长访问时间:70 ns
I/O 类型:SEPARATEJESD-30 代码:R-PDIP-T20
JESD-609代码:e0内存密度:16384 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:1
端子数量:20字数:16384 words
字数代码:16000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:16KX1输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:DIP
封装等效代码:DIP20,.3封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE并行/串行:PARALLEL
电源:5 V认证状态:Not Qualified
最小待机电流:2 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.05 mA标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUALBase Number Matches:1

HM3-65262B-9 数据手册

 浏览型号HM3-65262B-9的Datasheet PDF文件第2页浏览型号HM3-65262B-9的Datasheet PDF文件第3页浏览型号HM3-65262B-9的Datasheet PDF文件第4页浏览型号HM3-65262B-9的Datasheet PDF文件第5页浏览型号HM3-65262B-9的Datasheet PDF文件第6页浏览型号HM3-65262B-9的Datasheet PDF文件第7页 

与HM3-65262B-9相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
HM3-65262B-9+ ETC

获取价格

x1 SRAM
HM3-65262C-5 ETC

获取价格

x1 SRAM
HM3-65262C-5+ TEMIC

获取价格

Standard SRAM, 16KX1, 70ns, CMOS, PDIP20,
HM3-65262C-9 TEMIC

获取价格

Standard SRAM, 16KX1, 85ns, CMOS, PDIP20,
HM3-65262C-9+ TEMIC

获取价格

Standard SRAM, 16KX1, 85ns, CMOS, PDIP20,
HM3-65262S-9 RENESAS

获取价格

Standard SRAM, 16KX1, 55ns, CMOS, PDIP20
HM3-6551B-9 ROCHESTER

获取价格

256X4 STANDARD SRAM, 220ns, PDIP22
HM3-6561-5 RENESAS

获取价格

IC,SYNC SRAM,256X4,CMOS,DIP,18PIN,PLASTIC
HM3-6561-5 ROCHESTER

获取价格

Standard SRAM, 256X4, 360ns, CMOS, PDIP18
HM3-65641-5 ETC

获取价格

x8 SRAM