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HM3-6561-5

更新时间: 2024-11-26 21:10:23
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罗彻斯特 - ROCHESTER 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
10页 953K
描述
Standard SRAM, 256X4, 360ns, CMOS, PDIP18

HM3-6561-5 技术参数

生命周期:Contact Manufacturer包装说明:,
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.66
最长访问时间:360 ns其他特性:TTL COMPATIBLE INPUT/OUTPUT; ON CHIP ADDRESS REGISTER; LOW POWER STANDBY
JESD-30 代码:R-PDIP-T18内存密度:1024 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:4
功能数量:1端子数量:18
字数:256 words字数代码:256
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:256X4
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE并行/串行:PARALLEL
认证状态:Not Qualified最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:DUALBase Number Matches:1

HM3-6561-5 数据手册

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