是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
Reach Compliance Code: | not_compliant | 风险等级: | 5.91 |
最长访问时间: | 360 ns | JESD-30 代码: | R-PDIP-T18 |
JESD-609代码: | e0 | 内存密度: | 1024 bit |
内存集成电路类型: | STANDARD SRAM | 内存宽度: | 4 |
端子数量: | 18 | 字数: | 256 words |
字数代码: | 256 | 工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 256X4 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | DIP |
封装等效代码: | DIP18,.3 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 并行/串行: | PARALLEL |
认证状态: | Not Qualified | 最大待机电流: | 0.0001 A |
最小待机电流: | 2 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.0055 mA | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | DUAL |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
HM3-65641-5 | ETC |
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x8 SRAM | |
HM3-65641-5+ | ETC |
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x8 SRAM | |
HM3-65641-9 | ETC |
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x8 SRAM | |
HM3-65641-9+ | ETC |
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x8 SRAM | |
HM3-65641B-5 | ETC |
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x8 SRAM | |
HM3-65641B-5+ | ETC |
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x8 SRAM | |
HM3-65641B-9 | ETC |
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x8 SRAM | |
HM3-65641B-9+ | ETC |
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x8 SRAM | |
HM3-65641C-5 | ETC |
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x8 SRAM | |
HM3-65641C-5+ | ETC |
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x8 SRAM |