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HM3-65262C-9

更新时间: 2024-11-08 20:21:11
品牌 Logo 应用领域
TEMIC 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
9页 392K
描述
Standard SRAM, 16KX1, 85ns, CMOS, PDIP20,

HM3-65262C-9 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.89
Is Samacsys:N最长访问时间:85 ns
I/O 类型:SEPARATEJESD-30 代码:R-PDIP-T20
JESD-609代码:e0内存密度:16384 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:1
端子数量:20字数:16384 words
字数代码:16000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:16KX1输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:DIP
封装等效代码:DIP20,.3封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE并行/串行:PARALLEL
电源:5 V认证状态:Not Qualified
最小待机电流:2 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.05 mA标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUALBase Number Matches:1

HM3-65262C-9 数据手册

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